李焕勇
,
介万奇
功能材料
用改进的化学气相输运技术(CVT),以Zn(NH4)3Cl5为新的气相输运剂,直接从单质Zn和Se一步在封密管中生长了ZnSe单晶,升华温度1001～1020℃,管内温差＜4℃.经过两周生长,得到8mm×7mm×0.8mm的绿色ZnSe晶体.XRD表明晶体表面为(111)面;受气固界面形貌影响,双晶衍射半高峰宽为50s;PL谱由DPA和SA两个发光峰组成;并研究了晶体片的吸收光谱、荧光光谱、反射光谱和红外透过等光学性质.
关键词:
化学气相输运
,
光学性质
,
输运剂
,
ZnSe单晶
卢利平
,
刘景和
,
李建立
,
万玉春
,
张亮
,
曾繁明
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.005
采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体.研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响.对生长出的单晶体进行均匀性测试表明ZnSe单晶完整性和均匀性良好.对ZnSe单晶进行光学性能测试分析表明ZnSe单晶的折射率高,吸收系数低,红外透过率大于70%.
关键词:
ZnSe单晶
,
物理气相输运法
,
高压坩埚下降法
,
透过率
李寒松
,
李焕勇
人工晶体学报
本文采用化学气相输运(CVT)法,由Zn(5N)和Se(5N)一步直接生长了片状ZnSe单晶,并对其结构特性和光电性能进行分析.研究表明,生长出的ZnSe单晶仅显露(111)面,红外透过率约为40％ ～42％,具有较高的结晶质量.该ZnSe单晶可与In电极形成良好的欧姆接触,其体电阻率约为7.3 ×l09 Ω·cm.
关键词:
化学气相输运法
,
ZnSe单晶
,
光电特性
,
透过率
,
电阻率
李文渭
,
李焕勇
,
介万奇
人工晶体学报
本文直接以高纯Zn、Se单质为原料,加入少量碘单质作为反应输运剂,用化学气相输运(CVT)的方法一步成功的生长出了ZnSe单晶.采用XRD、EDS、紫外可见分光光度计和光致发光(PL)技术研究了生长的ZnSe晶体的结构、成份以及光学特性.结果表明,生长的ZnSe单晶具有较好结晶性能,成份接近理想的化学计量比,在500～2000nm范围内透过率达到65%～70%,在1.9～2.5 eV范围内存在与Zn空位和杂质能级相关的发光带.由Zn和Se单质在输运剂I2的辅助下一步直接生长ZnSe单晶是可行的.
关键词:
ZnSe单晶
,
一步生长
,
输运剂
张旭
,
李卫
,
张力强
,
丁进
,
王坤
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.041
采用化学气相输运法(CVT)在适合的温度和I2含量的条件下,生长出了25mm×3mm的ZnSe单晶,位错密度为6.5×103个/cm2.对ZnSe单晶进行光学性能分析,在10.6μm处的透过率超过70%,在10.6μm处的吸收系数为7.72×10-4/cm.
关键词:
ZnSe单晶
,
化学气相输运
,
位错密度
