刘海瑞
,
王丽平
,
贾伟
,
贾虎生
人工晶体学报
采用溶剂热法,对制备的前驱体进行热处理,最后得到了片状结构的ZnSe纳米材料.然后利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM))和光致发光谱(PL)等测试手段对样品的晶体结构、形貌、微结构和光学性质等进行了表征分析.结果表明制备的ZnSe块状结构是由厚度大约在200 ～300 nm纳米带堆叠而成,其晶体结构为密排六方晶体结构.此外,通过分析反应过程,对片状ZnSe生成过程中的可能的化学反应和片状ZnSe可能的形成机理做了简单的分析.
关键词:
ZnSe
,
溶剂热法
,
片状结构
,
热处理
王善忠
,
谢绳武
,
庞乾骏
,
郑杭
,
夏宇兴
,
姬荣斌
,
巫艳
,
杨建荣
,
于梅芳
,
杜美容
,
乔怡敏
,
郭世平
,
何力
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.02.007
为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等。ZnSe是制备蓝绿激光器的基础材料,本文报道利用MBE技术对ZnSe 材料进行生长控制和掺杂控制的初步研究结果。
关键词:
ZnSe
,
MBE
,
生长控制
,
掺杂控制
吴荣
,
姜楠楠
,
李锦
,
简基康
,
常爱民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12401
以乙酸锌为锌源,Na2SeO3·5H2O或Se粉为硒源,采用溶剂热法在乙醇胺(EA)溶剂中—步合成晶型和形貌可控的闪锌矿和纤锌矿结构的ZnSe纳米材料.利用X射线衍射(XRD)、能量色散X射线谱(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对产物的晶型、成分和形貌进行了表征.结果表明,Se源的选取直接决定了ZnSe纳米材料的晶型和形貌:以Na2SeO3·5H2O为源,产物为立方相闪锌矿结构的ZnSe纳米颗粒,直径30 nm左右；以Se粉为源,产物为六方相纤锌矿结构的ZnSe纳米片,厚度约50 nm.进一步的研究表明,具有合适配位能力的乙醇胺溶剂和Se源对ZnSe纳米结构的合成起重要作用.通过紫外-可见光谱(UV-Vis)和室温光致发光光谱(PL)表征了产物的光学性质.
关键词:
溶剂热
,
ZnSe
,
闪锌矿
,
纤锌矿
车俊
,
姚熹
,
姜海青
,
汪敏强
稀有金属材料与工程
介绍了一种采用高能球磨方法制备ZnSe纳米晶粉体的新方法.通过实验获得了最佳球磨工艺参数.ZnSe粉体的XRD分析表明,在氮气保护下,球磨60 min即可获得纯立方闪锌矿结构,避免了ZnO相的出现.晶粒的尺寸用Scherrer公式计算为5 nm,用TEM直接观察的尺寸为10 nm左右.同时电子衍射分析也证明了所获得的纳米ZnSe粉体为立方闪锌矿结构.
关键词:
高能球磨
,
纳米晶体粉
,
ZnSe
,
TEM
王丹
,
李焕勇
,
介万奇
人工晶体学报
采用化学气相沉积方法,以MiSe2为前驱体,制备出尺寸均匀、分散度好的ZnSe微球.通过XRD、EDS和FESEM对产物的结构、成分和形貌进行了测试与表征.结果表明:所得ZnSe微球为立方闪锌矿结构,直径在800～1000 nm之间,具有近于理想的化学计量比.变温光致发光谱研究表明,ZnSe微球在550～640 nm处存在与Zn空位及杂质能级相关的发光峰.
关键词:
ZnSe
,
化学气相沉积
,
微球
,
光致发光
汪晓芹
,
介万奇
,
李焕勇
,
刘莉
,
谭一平
人工晶体学报
采用水热法,以ZnSO4·7H2O为Zn源,Na2SeO3为Se源,NaOH溶液为反应介质,N2H4·H2O为还原性助剂,在140℃下反应24 h,合成了直径为1～4μm、分散性较好的ZnSe微球.SEM、XRD和UV-Vis测试发现,NaOH和N2H4·H2O共同控制着ZnSe的形貌,制备的ZnSe微球是由平均尺寸为20.7 nm的ZnSe纳米晶在N2微泡上聚集而成的中空球.
关键词:
ZnSe
,
微球
,
中空球
,
水热法
车俊
,
姚熹
,
姜海青
,
汪敏强
稀有金属材料与工程
介绍了一种采用高能球磨方法制备ZnSe纳米晶粉体的新方法.通过实验获得了最佳球磨工艺参数.ZnSe粉体的XRD分析表明,在氮气保护下,球磨60 min即可获得纯立方闪锌矿结构,避免了ZnO相的出现.晶粒的尺寸用Scherrer公式计算为5 nm,用TEM直接观察的尺寸为10 nm左右.同时电子衍射分析也证明了所获得的纳米ZnSe粉体为立方闪锌矿结构.
关键词:
高能球磨
,
纳米晶体粉
,
ZnSe
,
TEM
滕祥红
,
崔洪梅
,
高明
,
钱纁
,
肖红涛
,
张旭
硅酸盐通报
本文主要通过对CVDZnS表面进行不同的表面处理技术后经二次沉积ZnSe制备了ZnS/ZnSe复合材料,研究了ZnS/ZnSe复合材料的两相界面结合机理以及对红外透过率的影响.结果表明:采用等离子清洗后的ZnS有利于两相界面的结合,通过在ZnS表面刻蚀处理使两相界面形成牢固的镶嵌结构,有利于提高两相界面的结合强度.
关键词:
ZnS
,
ZnSe
,
界面
,
结合
王向阳
,
钱(纁)
,
蔡以超
,
何莉
,
肖红涛
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.028
本文详细分析了用单质硫或单质硒为原料,在Zn-S-H2-Ar体系或Zn-Se-H2-Ar体系中化学气相沉积生长 ZnS和ZnSe晶体所发生的化学反应,认为在这两种化学气相沉积过程中所发生的化学反应是以锌蒸汽与硫或硒蒸汽反应来实现的.计算出了上述反应的△H、△S和△G这些热力学函数,并将该△G与采用H2S气体(Zn-H2S-Ar体系)和H2Se气体(Zn-H2Se-Ar体系)为原料的CVD ZnS和ZnSe做了对比.实验结果表明,以单质Se为原料生长的CVD ZnSe比以H2Se为原料的CVD ZnSe的努普硬度有显著的提高.
关键词:
CVD
,
ZnS
,
ZnSe
,
化学反应
李焕勇
,
介万奇
,
熊鹏
,
付红志
稀有金属材料与工程
在NiE(E=S,Se)纳米粒子辅助下,采用CVD方法,在NiE(E=S,Se)-Zn系统中成功生长出立方闪锌矿结构一维ZnE(E=S,Se)纳米线.生长的ZnSe和ZnS纳米线长度达几十微米,具有接近理想化学计量比的成分和较高的结晶质量.研究表明,ZnE纳米线生长过程中,ZnNi合金充作实际的催化剂,生长遵循氧化还原反应助VLS机理.基于此机理,通过调控NiE纳米粒子的尺寸可以有效控制ZnE纳米线的直径.
关键词:
Ⅱ-Ⅵ族化合物
,
纳米线
,
ZnS
,
ZnSe
,
VLS生长机制
