赵鸣
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吴晓亮
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李海松
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王聚云
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张锰
功能材料与器件学报
采用传统混合氧化物工艺在800℃经4小时烧结制备了0.01-0.2mol％ Bi2O3掺杂的ZnO-V2O5-SnO2 (ZnVSnO)基压敏陶瓷,采用电子天平、SEM、XRD和I-V测试仪研究了其密度、显微结构和电性能随Bi2O3含量的变化.结果表明:随Bi2O3含量升高,ZnVSnO基陶瓷密度变化不大,相对密度均超过了98％；样品均由ZnO主晶相和少量的Zn2SnO4、Bi2 Sn2 O7第二相组成,但平均晶粒直径从2.13μm降到1.54μm,样品的压敏场强和非线性系数随之升高.当Bi2O3掺杂量为0.2mol％时样品性能最优,其压敏场强、非线性系数和漏电流密度分别为2842V/mm、51.2和0.0925mA/cm2.
关键词:
ZnO-V2O5-SnO2基压敏陶瓷
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Bi2O3
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显微结构
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电学非线性
