李玲霞
,
吴霞宛
,
张志萍
,
王洪儒
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2001.06.004
选用低介电常数的无机介质材料ZnO-B2O 3-SiO2三元系统,进行了XRD和介电性能定量关系的研究,系统的主、次晶相为SiO 2、Zn2SiO4相.调整各组分,获得了超低介电常数的介质陶瓷,其介电性能为:ε≈5,tgδ≤5×10-4,αc≤0±30ppm/℃,IR≥1012Ω,烧结温度为1140℃.通过对系统所进行的X-射线衍射分析,探讨了用X-射线衍射峰强度计算各物相含量的方法,并代入李赫德涅凯对数混合定则,计算出系统的介电性能,从而获得了一种设计无机材料系统介电性能的新方法.
关键词:
ZnO-B2O3-SiO2系统
,
超低介电
,
常数
,
X-射线衍射分析
,
衍射峰强度
,
设计材料介电性能
庞京涛
,
郑金标
,
吴纬
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.03.006
通过热分析确定基本的的烧结温度制度,并且调整烧结工艺参数使粉料在不同的条件下进行烧结,通过对烧成后的样品的表观性能、介电性能和微观结构的分析,探讨了不同烧结制度对于ZnO-B2O3-SiO2系统的介电性能的影响.结果表明:该陶瓷系统致密化过程主要发生在900～1050℃之间,采用最高烧结温度1050℃,保温时间为60min,快速冷却(-20℃/min)的工艺烧成的陶瓷,致密性好,晶粒分布均匀且粒径大小适中,具有良好的介电性能(εr=4.75,tgσ=0.001,1MHz).
关键词:
低介电陶瓷
,
烧结工艺
,
ZnO-B2O3-SiO2系统
