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烧结工艺对ZnO压敏陶瓷微观结构与电学性能影响

于晓华 , 荣菊 , 詹肇麟 , 王远

材料热处理学报

以ZnO粉末为主要原料,添加TiO2、Bi2O3、MnO2、Co2 O3、Sb2O3为组元,在不同烧结温度(1100 ~ 1250℃)与保温时间(1.0~2.5 h)下制备ZnO压敏陶瓷.采用SEM观察陶瓷形貌,利用压敏电阻直流参数仪测试陶瓷的电学性能,研究烧结温度与保温时间对陶瓷结构和性能的影响.结果表明,随烧结温度升高,压敏电压、漏电流逐渐降低,而非线性系数先减小后增加.制备ZnO压敏陶瓷的适宜烧结温度与保温时间分别为1250℃、1h,压敏电压为17.0 V/mm、漏电流为0.014 mA、非线性系数为14.2,陶瓷内部晶粒可长大至128.7 μm.

关键词: ZnO压敏陶瓷 , 烧结温度 , 保温时间 , 电学性能 , 微观结构

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