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生长温度对热蒸发法制备ZnO 纳米线的结构与发光性能影响

杨燕 , 余涛 , 金成刚 , 韩琴 , 吴兆丰 , 诸葛兰剑 , 吴雪梅

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.21.028

采用无金属催化剂的简单热蒸发法,在 Si (100)衬底上不同生长温度下成功地制备了高密度和大长径比的单晶 ZnO 纳米线。分别利用 X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM-EDS)、透射电子显微镜(TEM)及荧光光谱仪表征样品的结构和发光性质。XRD和 TEM研究表明,所制备的样品为沿c 轴择优取向生长的单晶ZnO 纳米线,具有六方纤锌矿结构。SEM和TEM研究表明,生长温度对ZnO 纳米线的形貌及长径比的影响较大。当生长温度为700℃时,制备得到长径比为300(长度约为15μm,直径约为50nm)的 ZnO 纳米线;低于600℃时,形成花状 ZnO纳米锥或纳米棒;高于700℃时,形成小长径比的 ZnO纳米棒。此外,室温光致发光(PL)谱上出现一个强而尖锐的紫外发射峰以及一个弱而宽泛的蓝光发射峰。采用的热蒸发法制备ZnO 纳米线基于气-固(VS)生长机理且该生长方法可用于大规模、低成本制备高纯度的单晶ZnO 纳米材料。

关键词: ZnO 纳米线 , 热蒸发 , 光致发光 , 气-固(VS)机理

Ag纳米粒子修饰ZnO 纳米线特性研究?

张贺秋 , 刘俊林 , 金叶

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.06.007

利用水溶液法制备 ZnO 纳米线,使用真空热蒸发方法用Ag对ZnO 纳米线进行表面修饰。用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X 射线衍射(XRD)仪、吸收谱仪分析它们的表面形貌、物相结构及光学性质,同时分析了其场发射性能。结果表明,随着 Ag 修饰量的增加,ZnO 纳米线表面上的 Ag 纳米粒子分布会由稀疏逐步到致密,最后 Ag 的纳米粒子几乎连在一起。测量吸收谱线发现修饰后的 ZnO 纳米线的吸收能力变强,但存在一个临界值,当修饰量超过临界值后,ZnO 纳米线的光吸收能力会减弱。对修饰后 ZnO纳米线的场发射性能进行初步测试,结果表明适当量的Ag修饰可以有效降低ZnO 纳米线的场发射开启电压。

关键词: ZnO 纳米线 , Ag纳米粒子 , 修饰

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