花银群
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孙真真
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陈瑞芳
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徐瑞丽
功能材料
采用传统陶瓷烧结工艺,制备了直径为50mm,厚度为3 mm的Bi2O3、Sb2O3、CO2O3、Cr2O3、MnO2掺杂的ZnO陶瓷靶,采用所制备的ZnO陶瓷靶和射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上成功制备出了ZnO陶瓷薄膜,并研究了溅射功率和退火温度对ZnO陶瓷薄膜的微观结构和表面形貌的影响.结果表明:随着溅射功率的增大,ZnO陶瓷薄膜的沉积速率增大;颗粒尺寸先减小后增大.随着退火温度的升高,ZnO陶瓷薄膜的c轴取向增强;晶粒尺寸增大.溅射功率为350W、退火温度为850℃,制备出的陶瓷薄膜的相组成是ZnO主晶相、富Bi2O3相、Sb2O3相以及Zn2.33Sb0.67O4尖晶石相,得到了具有压教电阻特性的组织结构.
关键词:
无机非金属材料
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ZnO陶瓷薄膜
,
射频磁控溅射
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溅射功率
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退火温度
姜胜林
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林汝湛
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曾亦可
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刘梅冬
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2005.01.017
应用新型溶胶-凝胶法制备了ZnO陶瓷薄膜,研究了退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻电性能的影响.结果表明,采用溶胶掺杂在550℃退火条件下可形成Zn7Sb2O12及ZnCr2O4相,且在退火温度范围内(550～950℃)基本上没有焦绿石相形成.当退火温度达到750℃以后,Sb2O3已全部转变为稳定性好的尖晶石相,同时存在Bi2O3、ZnO的挥发.采用适当的退火温度,可得到具有优良电性能的ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻,其压敏电压低于5 V,非线性系数可达20,漏电流密度小于0.5μA/mm2.
关键词:
无机非金属材料
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新型溶胶-凝胶法
,
退火温度
,
ZnO陶瓷薄膜
,
低压压敏特性
