张丛春
,
周东祥
,
龚树萍
功能材料
概述了低压ZnO压敏电阻材料的制备工艺、应用技术、粉料制备,以及晶界特性、导电模型、老化机理的研究进展和研究中存在的问题,并对以后的发展方向进行了展望.着重讲述了掺杂物对烧结过程、晶粒生长和晶界结构的作用以及显微结构(晶粒大小及晶界状态)均匀性对电性能和老化特性的影响,并提出了改善老化性能的关键措施.
关键词:
ZnO陶瓷
,
低压压敏电阻
,
显微结构
,
晶界
,
老化
籍远明
,
张金仓
,
郝希平
功能材料
研究了Nb2O5掺杂的ZnO陶瓷在低温下导电特性.结果表明:低温状态下,随着Nb2O5掺杂量的增加,ZnO电阻率降低,不同温度下烧结的ZnO样品,烧结温度越高,电阻率愈小;同一烧结温度下,不同烧结时间的ZnO样品,随着烧结时间的增加,电阻率愈小.
关键词:
ZnO陶瓷
,
导电特性
,
掺杂
,
低温
籍远明
,
张金仓
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.01.014
研究了Nb2O5掺杂的ZnO陶瓷在低温下导电特性,结果表明,低温状态下,随着Nb2O5掺杂量的增加,ZnO电阻率降低,不同温度下烧结的ZnO样品,烧结温度越高,电阻率愈小,同一烧结温度下,不同烧结时间的ZnO样品,随着烧结时间的增加,电阻率愈小.
关键词:
ZnO陶瓷
,
导电特性
,
掺杂
,
低温
徐庆
,
陈文
,
郜定山
,
袁润章
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2000.03.004
本文对烧成后的掺TiO2低压ZnO压敏陶瓷进行了退火处理,测量了不同退火温度下ZnO陶瓷的压敏性能,运用XRD、SEM等分析方法研究了退火过程中ZnO陶瓷结构的变化.研究结果表明,退火过程中Ti4+离子取代Zn2+离子而固溶进入ZnO晶粒表面,是引起ZnO陶瓷压敏性能变化的主要原因,在退火温度不超过400℃时可获得较好的压敏性能.
关键词:
ZnO陶瓷
,
压敏性能
,
退火
,
Ti4+离子
刘素琴
,
黄可龙
,
宋志方
,
彭斌
无机材料学报
采用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）工艺制备ＺｎＯ电压敏陶瓷粉体．探讨其制备的最佳工艺条件：以 Ｚｎ（ＮＯ３）２与 ＮａＯＨ为反应前驱物制取胶体， Ｚｎ２＋浓度控制在 ０．５ｍｏｌ·Ｌ－１以上， ｐＨ值７．５左右，预烧温度３００℃，陶瓷烧结温度１２００℃；制得的压敏电阻的非线性系数α＝２８；研究了稀土Ｌａ２Ｏ３掺杂对该陶瓷电性的影响：低浓度掺杂时，可提高压敏电压，高浓度掺杂时；不呈现压敏特性；对粉体进行了Ｘ射线衍射和透射电镜分析，预烧后得到五元掺杂的ＺｎＯ粉体粒形呈球状，属六方晶系，粒径分布窄，约为４０～８０ｎｍ．
关键词:
ZnO陶瓷
,
sol-gel process
,
varistor
刘素琴
,
黄可龙
,
宋志方
,
彭斌
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.02.030
采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺制备ZnO电压敏陶瓷粉体. 探讨其制备的最佳工艺条件：以Zn(NO3)2与NaOH为反应前驱物制取胶体, Zn2+浓度控制在0.5mol*L-1以上，pH值7.5左右，预烧温度300°C，陶瓷烧结温度1200°C；制得的压敏电阻的非线性系数α=28；研究了稀土La2O3 掺杂对该陶瓷电性的影响：低浓度掺杂时，可提高压敏电压，高浓度掺杂时，不呈现压敏特性；对粉体进行了X射线衍射和透射电镜分析，预烧后得到五元掺杂的ZnO粉体粒形呈球状，属六方晶系，粒径分布窄，约为40～80nm.
关键词:
ZnO陶瓷
,
Sol-Gel法
,
压敏电阻
