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方亮 , 彭丽萍 , 杨小飞 , 周科 , 吴芳
材料导报
本征ZnO是高阻材料,如何对其进行掺杂,提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键.从晶体结构和能带结构、影响光电性能的因素、透明导电机制、提高光电性能的途径等方面综述了In掺杂ZnO(ZnO:In)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO:In薄膜电阻率和提高透光率的有效途径,并对未来的发展方向进行了简要说明.
关键词: 宽禁带半导体材料 , ZnO:In薄膜 , 光学性质 , 电学性质