王鹏
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赵青南
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周祥
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赵修建
稀有金属材料与工程
室温下在玻璃基片上用射频磁控溅射法制备了不同厚度的ZnO:Al(AZO)缓冲层,并在该同质缓冲层上溅射生长了AZO薄膜.用XRD测试了薄膜结构,用四探针法测量了薄膜方块电阻,用紫外-可见光谱仪测试了薄膜透过率,用双光束红外分光光度计测试了薄膜在中红外范围内的红外反射率.并比较并分析了引入同质缓冲层前后薄膜结构与性能的变化.结果表明,与没有缓冲层的样品相比较,适当厚度的同质缓冲层能降低AZO薄膜中的残余应力,使薄膜晶粒尺寸变大,降低AZO薄膜的方块电阻,使薄膜的紫外截止边发生蓝移,增加薄膜的红外反射率,并不明显影响薄膜的可见光透过率.
关键词:
同质缓冲层
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ZnO:Al薄膜
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射频磁控溅射法
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方块电阻
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玻璃基片
骆英民
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马剑刚
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徐海阳
,
刘益春
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钟殿强
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齐秀英
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.018
采用电子束蒸镀方法在Si(100)衬底上沉积了ZnO:Al(ZAO)薄膜.在氧气气氛下对ZnO:Al薄膜进行了退火处理,退火温度的范围为400～800℃.X射线衍射(XRD)图样表明所制备的ZnO:Al薄膜具有六方结构,为c轴(002)择优取向的多晶薄膜.用Van der Pauw法测量了ZAO薄膜的电学特性,结果显示其电导率在500℃达到最大值.测量了ZAO薄膜的室温微区光致发光和变温发光光谱,观测到了ZnO自由激子、束缚在中性施主中心(D0)上的束缚激子以及束缚在离化施主中心(D+0)上的束缚激子发射.
关键词:
ZnO:Al薄膜
,
电子束蒸镀
,
退火
,
Van der Pauw法
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光致发光谱
王文文
,
刁训刚
,
王天民
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2010.03.010
利用直流磁控溅射法制备了两组ZAO薄膜,使用60Co放射源对一组薄膜进行了γ射线辐照,在原子氧地面模拟设备中对另一组进行了原子氧辐照,并对辐照前后的样品进行了微观结构、表面形貌及电学特性的表征.结果表明,较高剂量率的γ射线辐照会降低薄膜的结晶程度,而低剂量率的辐照有相反作用.γ射线可激发薄膜中的电子,提高其载流子浓度,最大比率为16.39%.AO辐照仅对ZAO薄膜的表面具有氧化效应,导致表面化学成分中晶格氧比例的提高和薄膜载流子浓度的下降.随着薄膜厚度的增大,载流子浓度的下降比例逐渐减小.
关键词:
透明导电氧化物
,
ZnO:Al薄膜
,
γ射线
,
原子氧
,
电学性能
冯兰
,
刁训刚
,
王涛
,
刘海鹰
,
康明生
功能材料
利用直流-射频共溅射法在玻璃基底上低温制备了系列掺铝氧化锌(ZAO)透明导电薄膜.研究了低温溅射过程中倾斜溅射靶偏角对样品电学性能、紫外-可见-近红外光区透过率、X射线衍射谱及薄膜表面形貌的影响.结果表明,室温条件下制备的ZAO薄膜具有(002)择优取向,当靶偏角为23°时,薄膜方块电阻最低,可达17Ω/□,电阻率为2.2×10-3Ω·cm,可见光平均透过率在85%以上,最高可在95%以上.紫外截止和近红外反射效果明显.
关键词:
ZnO:Al薄膜
,
透明导电薄膜
,
共溅射
,
倾斜溅射
徐玮
,
于军
,
王晓晶
,
袁俊明
,
雷青松
材料导报
利用射频磁控溅射法,采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材,在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO∶Al)薄膜,研究了溅射功率及溅射气压对薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响.采用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,采用分光光度计和电阻率测试仪对薄膜的光电学性能进行了测试.结果表明,当溅射功率为120W、衬底温度为300℃、工作气压为0.5Pa时制得的薄膜具有良好的光电学性能,可见光平均透过率为88.21%,电阻率为8.28×10-4Ω·cm.
关键词:
磁控溅射
,
陶瓷靶材
,
电阻率
,
透过率
,
ZnO:Al薄膜
孙可为
,
周万城
,
黄珊珊
,
唐秀凤
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12213
采用直流磁控溅射法在玻璃基片上沉积ZnO∶Al(AZO)薄膜,溅射气压为0.2～2.2 Pa.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针和紫外-可见分光光度计对AZO薄膜的相结构、微观形貌和电光学性质进行了表征.结果表明:薄膜的沉积速率随着溅射气压的增大而减小,变化曲线符合Keller-Simmons模型;薄膜均为六角纤锌矿结构,但择优取向随着溅射气压发生改变;溅射气压对薄膜的表面形貌有显著影响;当溅射气压为1.4 Pa时,薄膜有最低的电阻率(8.4×10-4 Ω·cm),高的透过率和最高的品质因了Q.
关键词:
ZnO:Al薄膜
,
直流磁控溅射
,
溅射气压
,
光电性质
裴志亮
,
谭明晖
,
陈猛
,
孙超
,
黄荣芳
,
闻立时
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.01.017
用磁控反应溅射法制备了ZnO:Al(简称ZAO)薄膜,研究了薄膜方块电阻空间分布的均匀性及微观形貌,并对ZnO:Al薄膜表面各元素的化学状态和深度分布进行了XPS和AES分析,同时也讨论了薄膜的光学电学性能.
关键词:
ZnO:Al薄膜
,
电阻空间分布
,
光电性能
杨田林
,
韩圣浩
,
张鹏
,
王爱芳
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.05.002
讨论了在低温条件下制备的ZnO:Al薄膜的结构、表面形貌和光电特性,对聚酰亚胺(Polvimide,PI)和玻璃两种不同衬底的薄膜进行了比较研究.两种不同衬底的薄膜均为多晶膜,具有六角纤锌矿结构,最佳取向均为(002)方向,衬底温度从室温到210℃时,制备的薄膜密度变化范围为4.6～5.16 g/cm3.在柔性衬底和玻璃衬底上制备的薄膜最低电阻率分别为5.3×10-4Ω·cm和5.1×10-4Ω·cm,薄膜在可见光区的平均透过率分别达到了72%和85%,讨论了两种衬底薄膜电学特性的稳定性.
关键词:
ZnO:Al薄膜
,
光电特性
,
射频磁控溅射
