杨发强
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屈飞
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古宏伟
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李弢
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王磊
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2010.03.013
用射频磁控溅射氧化锌掺铝陶瓷靶的方法在玻璃衬底上制备了ZnO:Al薄膜.研究了衬底温度(Ts)、靶基距(Dt-s)对薄膜结构及光电性能的影响.实验结果显示:Ts在室温至300℃、Dt-s在35～60mm范围内时,薄膜为六方相结构,并具有C轴取向,可见光范围平均透光率大于88%.Ts及Dt-s对薄膜电学性能的影响相似,随Ts升高或Dt-s增大,ZnO:Al薄膜的电阻率先减小后增大,霍尔迁移率先增大后减小,载流子浓度逐渐减小.在Ts为150℃,Dt-s为40 mm时,可获得最低电阻率4.18×10-4 Ω·cm的ZnO:Al薄膜,其载流子浓度为8.13×1020 cm-3、霍尔迁移率为18 cm2·V-1·s-1,可见光范围平均透过率为89%.
关键词:
ZnO:Al
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射频磁控溅射
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Cu(In,Ga)Se2
李微
,
孙云
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何青
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刘芳芳
,
李凤岩
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.021
本文以ZnO:Al(ZAO)陶瓷为靶材,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出高质量的铝掺杂氧化锌透明导电膜,研究了该薄膜的结构、光电及力学特性.采用孪生对靶制备ZAO薄膜可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤.制备的薄膜具有结晶程度高、电阻率低、迁移率高等优点.ZAO薄膜的最低电阻率达到了4.47×10-4Ω·cm,在可见光区的平均透过率达到85%以上,非常适合做为铜铟硒(CIS)薄膜太阳电池窗口层.
关键词:
孪生对靶
,
磁控溅射
,
ZnO:Al
任明放
,
冯湘
,
王华
,
许积文
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2010.02.006
采用直流磁控溅射工艺,室温下在载玻片上制备ZnO:Al透明导电薄膜.研究Al掺杂和溅射功率对薄膜生长取向、微观结构和电阻率的影响.研究表明:不同溅射功率下Al掺杂ZnO薄膜均为高度c-轴择优取向生长;在1%～3%(质量分数)的掺杂范围内,薄膜的电阻率随掺杂孱的增加而减小,掺杂的质量分数超过3%后,薄膜的电阻率又有所增大.溅射功率通过改变晶粒尺寸和晶界所产生的散射作用而影响薄膜的导电性能,溅射功率低于100 W时,薄膜的电阻率随功率增加而明显降低,但超过100 W后,薄膜的电阻率下降趋缓,并最终趋于平稳.在Al掺杂的质量分数为3%、溅射功率为100 W的条件下,可获得2.3×10~(-3) Ω·cm的最低电阻率.
关键词:
氧化锌铝
,
透明导电薄膜
,
导电性能
,
磁控溅射
