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Resistance Switching Properties of Ag/ZnMn2O4/p-Si Fabricated by Magnetron Sputtering for Resistance Random Access Memory

WANG Hua , LI Zhida , XU Jiwen , ZHANG Yupei , YANG Ling , QIU Wei

武汉理工大学学报-材料科学版(英文版) doi:10.1007/s11595-015-1288-1

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武汉理工大学学报-材料科学版(英文版) doi:10.1007/s11595-016-1517-2

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