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ZnMgO基紫外探测器的研究进展及分析

张俊 , 马向丽 , 王钰萍 , 吕建国

材料导报

ZnO基三元合金半导体材料因其重要的带隙调制作用,已成为紫外探测器发展的一个重要方向,特别是Zn_(1-x)Mg_xO基紫外探测器,可以探测日盲区紫外光,更是受到了各国极大的关注.当前,Zn_(1-x)Mg_xO基紫外探测器大多采用MSM叉指结构,响应峰位于300nm附近,响应时间最高可达ns量级,紫外可见光抑制比亦可大于4个数量级.扼要介绍了国内外相关小组的研究进展,并着重分析了薄膜组分、结构以及探测器性能参数等.

关键词: ZnMgO , 紫外探测器 , 性能参数

用射频磁控溅射法制备的Zn1-xMgxO薄膜光致发光特性

许小亮 , 王燎原 , 王烨 , 杨智超 , 施朝淑

功能材料

用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上生长了一组Zn1-xMgxO(x=0~0.16)薄膜.并在不同温度下退火.对薄膜的光致发光研究表明,在薄膜的发射谱的紫外区域有分别对应自由激子(以及相应的声子伴线)和电子-空穴等离子体的发光机制,其中后者有5倍超线性的受激发射,其受激发射阈值与薄膜的退火温度相关,样品中最低受激阈值为40kW/cm2.

关键词: ZnMgO , 光致发光 , 受激发射阈值

MOCVD法在MgO(100)衬底上生长m面ZnMgO薄膜

张亚琳 , 黄靖云 , 吴科伟 , 卢洋藩 , 叶志镇

材料科学与工程学报

本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在MgO(100)衬底上成功生长了非极性的m面(1010) ZnMgO薄膜.研究了衬底温度对ZnMgO薄膜生长取向的影响.X射线衍射(XRD)分析结果表明当衬底温度为400℃时可以获得单一取向的m面ZnMgO薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)观察到ZnMgO薄膜表面平整,由条纹状结构组成.透射电子显微镜(TEM)分析进一步证明ZnMgO为具有m面取向的单晶薄膜.X射线光电子能谱(XPS)定量分析表明ZnMgO薄膜中Mg含量为3at.%.

关键词: ZnMgO , m面 , 金属有机化学气相沉积(MOCVD)

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