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宽带隙化合物半导体Zn1-xMgxO薄膜的制备

边楠 , 张晓丹 , 张霞 , 赵颖 , 杨瑞霞

人工晶体学报

利用超声雾化热分解技术,在玻璃衬底上生长出宽带隙的Zn1-xMgxO薄膜.所有样品在可见光范围内的透过率可达到85%以上.X射线衍射的测试结果表明所有样品都具有c轴择优生长特性,并且随薄膜中Mg含量的不同出现规律性变化.光致发光谱表明Mg掺入后ZnO薄膜的紫外发射峰出现了蓝移,实现了对禁带宽度的调节.

关键词: 超声喷雾热分解 , Zn1-xMgxO薄膜 , 宽带隙半导体 , 禁带宽度

镁含量和热处理对Zn1-xMgxO薄膜结构的影响

王保明 , 吴约才 , 李成军

功能材料

采用溶胶一凝胶法在玻璃衬底上制备了Zn1-xMgxO(x=0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6)薄膜.X射线衍射谱测试结果发现,在0.1x0.3范围内薄膜仍然保持纤锌矿结构,(002)衍射峰向大角度方向移动,超过0.3时出现氧化镁立方相.对于Zn0.7Mg0.3O薄膜,在5、5.5、6℃/min的升温速率下,升温速率越快结晶程度越好.在相同升温速率下,随着退火温度从500℃升高到560℃,样品的结晶程度变好,当退火温度达到590℃时结晶程度变差.

关键词: 溶胶-凝胶法 , Zn1-xMgxO薄膜 , 晶体结构

Zn1-xMgxO薄膜及其p型掺杂的研究进展

黄桂娟 , 孔春阳 , 秦国平

材料导报

Zn1-xMgxO薄膜作为一种新型的宽带隙半导体材料,近年来一直受到广泛的关注.获得高质量稳定的p型Zn1-xMgxO薄膜是实现其光电应用的关键.概述了Zn1-xMgxO薄膜及其p型掺杂的研究现状,介绍了Zn1-xMgxO薄膜结构、光电性质及在光电领域的应用,并提出了有待进一步研究的问题.

关键词: Zn1-xMgxO薄膜 , 宽禁带半导体材料 , p型掺杂

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