康海涛
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李健
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柴燕华
材料科学与工程学报
热蒸发制备Zn掺杂SnS2薄膜,研究不同Zn含量及热处理条件对薄膜的物相结构、表面形貌和光电性能的影响.实验给出用Sn:S=1∶1.08(wt)混合粉末沉积的薄膜,经380℃、15min热处理后得到简单正交晶系的SnS2薄膜;9(wt％)掺Zn后的薄膜热处理条件为370℃、20min.Sn、S和Zn分别以正4价、负2价和正2价存在于薄膜中.SnS2薄膜的直接光学带隙为2.12eV,掺Zn后为2.07eV;薄膜的电阻率从未掺Zn时的4.97×102Ω·cm降低到2.0Ω· cm,下降了两个数量级,所有SnS2薄膜导电类型均为N型.
关键词:
热蒸发
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SnS2薄膜
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Zn掺杂
,
热处理
,
特性
乔丽英
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谢奉妤
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谢明辉
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龚才华
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王维朗
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高家诚
中国有色金属学报(英文版)
doi:10.1016/S1003-6326(16)64325-X
采用溶胶?凝胶法在纯钛基体上制备Zn掺杂纳米TiO2薄膜(Zn?TiO2)，研究不同热处理温度下Zn 掺杂对纳米TiO2薄膜的物理性能、光阴极保护效果和光电化学性能的影响。研究表明，与未掺杂TiO2薄膜相比，Zn的加入提高了Zn?TiO2薄膜的光电化学响应，在300°C热处理后的薄膜使金属基体的电极电位下降最大，降低了897 mV。SEM?EDS分析表明，Zn在掺杂薄膜中的分布不均匀，XRD结果显示Zn掺杂的薄膜比未掺杂的薄膜晶粒更细小。红外光谱结果表明，TiO2晶粒表面有Zn—O键生成。紫外光谱表明，Zn掺杂使Zn?TiO2吸收带边红移，扩大了TiO2的光响应范围。根据Mott?Shottky曲线可知，Zn?TiO2薄膜比纯TiO2薄膜的平带电位更负，载流子量更大。这说明在平带电位、载流子量和空间电荷层宽度的协同作用下，300°C热处理后的Zn?TiO2薄膜表现了最佳的光电化学响应。
关键词:
TiO2薄膜
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锌掺杂
,
光阴极保护
,
光电化学性能
,
溶胶凝胶法
段萍
,
罗玉萍
,
朱忠其
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张瑾
,
柳清菊
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.06.004
采用溶胶-凝胶法制备了锌掺杂 TiO2粉体(Zn-TiO2),采用 XRD、TEM、UV-Vis、PL 等方法对其进行表征和分析。结果表明,Zn 掺杂降低了 TiO2的相转变温度,拓展了 TiO2对可见光的吸收范围,有效地抑制了光生电子-空穴对的复合。光催化降解亚甲基蓝(MB)的实验表明,n(Zn)∶n(Ti)=0.045,400℃烧结的 Zn-TiO2粉体具有最佳光催化性能,在普通日光灯下对亚甲基蓝的降解率达95.77%,明显优于德国 Degussa 公司生产的 P25纯 TiO2光催化剂对亚甲基蓝的降解率44.95%。
关键词:
纳米TiO2
,
Zn掺杂
,
光催化
