康海涛
,
李健
,
柴燕华
材料科学与工程学报
热蒸发制备Zn掺杂SnS2薄膜,研究不同Zn含量及热处理条件对薄膜的物相结构、表面形貌和光电性能的影响.实验给出用Sn:S=1∶1.08(wt)混合粉末沉积的薄膜,经380℃、15min热处理后得到简单正交晶系的SnS2薄膜;9(wt％)掺Zn后的薄膜热处理条件为370℃、20min.Sn、S和Zn分别以正4价、负2价和正2价存在于薄膜中.SnS2薄膜的直接光学带隙为2.12eV,掺Zn后为2.07eV;薄膜的电阻率从未掺Zn时的4.97×102Ω·cm降低到2.0Ω· cm,下降了两个数量级,所有SnS2薄膜导电类型均为N型.
关键词:
热蒸发
,
SnS2薄膜
,
Zn掺杂
,
热处理
,
特性
贾影
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李健
,
闫君
功能材料
用质量比为1％∶0.2％(质量分数)的Sn、S混合粉末在玻璃衬底上热蒸发沉积SnS薄膜,氮气保护下对薄膜进行350℃、40min热处理后,得到简单正交晶系SnS多晶薄膜,薄膜的电阻率为103 Ω·cm,选择2％和4％(质量分数)的Zn掺杂来改善SnS薄膜的导电性.研究表明,SnS∶Zn薄膜最有效的热处理条件为300℃、40min,掺Zn后薄膜的物相结构转为简单正交和面心正交晶系混合相,SnS∶Zn薄膜(2％和4％(质量分数))的电阻率在1.8528 × 10-3～4.944×10-4 Ω·cm之间,导电类型为N型.薄膜中Sn和S分别呈+2和-2价,Zn显示+2价,以间隙和替位两种状态存在于SnS中,对薄膜导电性起改善作用的是间隙态的Zn离子.
关键词:
热蒸发
,
热处理
,
SnS薄膜
,
Zn掺杂
,
电学特性
郑赞
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杜丕一
,
赵冉
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翁文剑
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韩高荣
稀有金属材料与工程
采用溶胶凝胶工艺,在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb0.4Sr0.6TiO3(PST)铁电薄膜.XRD结果表明:550℃和600℃不同热处理条件下烧结的薄膜均呈单一的钙钛矿相结构.在不同外加直流电场下测试Zn 掺杂PST薄膜的介电性能,研究薄膜的介电可调性与热处理温度及过程的关系.发现550℃条件下制备得到的Zn掺杂PST薄膜几乎没有介电可调性,而在600℃条件下制备的Zn掺杂PST薄膜具有明显的介电可调性.另外,600℃条件下制备的Zn掺杂PST薄膜,其可调性随着保温时间和冷却时间的延长有所增加,介电损耗随保温时间和冷却时间的增大而减小.
关键词:
介电可调
,
PST薄膜
,
溶胶凝胶
,
Zn掺杂
,
制备方法
王昱征
,
薛向欣
,
杨合
,
栾澈
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.23.016
采用溶胶-凝胶法对 TiO2进行 Ce 及 Zn 单一和共掺杂改性.以金葡萄球菌、大肠杆菌和白念珠菌为菌种，研究组分对材料的可见光抗菌活性影响.运用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、比表面仪(BET)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis-DRS)等测试手段对样品的结构进行表征.实验结果表明，掺杂改性抗菌剂中适量Ce组分的作用，在于通过抑制抗菌剂的晶粒长大和拓展光响应范围等方面，增进抗菌剂的光催化性能.掺杂抗菌剂中适量 Zn 组分的作用在于提高材料的光催化抗菌性能.Zn、Ce 共掺杂 TiO2纳米材料表现出良好的协同抗菌效果，协同效应因子(SEF)＞0.
关键词:
抗菌性能
,
协同作用
,
Zn掺杂
,
Ce掺杂
梁建
,
王晓宁
,
张华
,
刘海瑞
,
王晓斌
,
许并社
人工晶体学报
本文以氧化镓、氧化锌和氨气为原料,通过常压化学气相沉积法(APCVD)在Au/Si( 100)衬底上成功生长出了Zn掺杂的”Z”形GaN纳米线.利用场发射扫描电镜(FESEM)、X-射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、光致发光谱(PL)等测试方法对样品的形貌、晶体结构及光学性质进行了表征.结果表明:在温度为950℃,氧化镓和氧化锌的质量比为8∶1的条件下,制备出的Zn掺杂Z形GaN单晶纳米线直径为70 nm、长度为数十个微米,生长机理遵循VLS机制.Zn元素的掺杂使GaN纳米线在420nm处出现了光致发光峰,发光性能有所改善.
关键词:
氮化镓
,
纳米线
,
Zn掺杂
,
化学气相沉积
,
发光性能
李云
,
李健
,
王艳
功能材料
高纯Sn和S粉按1∶0.41（质量分数,%）配比,均匀掺入9（质量分数,%）的高纯Zn粉,单源共蒸发沉积薄膜后再进行热处理,得到Sn2S3∶Zn薄膜。XRD分析显示,380℃,55min热处理得到简单正交晶系的纯Sn2S3薄膜。掺Zn（9（质量分数,%））的薄膜经370℃热处理15min得到的薄膜仍属简单正交晶系。掺Zn后Sn2S3薄膜的表面均匀和致密性变好,平均晶粒尺寸从未掺Zn时的35.69nm增加到58.80nm。Sn2S3薄膜的导电类型均为N型,掺Zn后薄膜的电阻率为6.05×101（Ω·cm）,比未掺杂时降低1个数量级。Sn2S3薄膜的直接光学带隙为1.85eV,本征吸收边为551nm;Sn2S3∶Zn（9%,质量分数）薄膜的光学带隙1.41eV,本征吸收边873nm发生红移,Sn2S3薄膜的光吸收系数均达到105cm-1。
关键词:
Sn2S3薄膜
,
Zn掺杂
,
单源共蒸发
,
热处理
,
电、光特性
毛新钰
,
梁小平
,
刘建
,
李冬梅
,
左蕊
,
刘铠
,
罗大军
,
王瑞雪
稀有金属
用溶胶凝胶法制备了LiNi1/3Co1/3-xMn1/3ZnxO2(x=0,1/24,2/24,4/24)锂离子电池正极材料.由X射线衍射和扫描电镜对其分析结果表明,Zn掺杂不改变LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2的α-NaFeO2层状结构,当掺杂量达到4/24时,杂相产生.电化学研究表明,当Zn掺杂量为2/24时,LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2首次放电容量由未掺杂的169.2 mAh·g-1降低为160.1mAh·g-1,但循环性能明显提高,30次循环后的容量保持率由未掺杂的89.2％升至97％.并且在20、40、60和80 mA·g-1不同的电流密度下继续循环20次后,当再次恢复到20 mA·g-1的电流密度时,放电容量可恢复到150.3 mAh·g-1.
关键词:
锂离子电池
,
LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2正极材料
,
溶胶凝胶法
,
Zn掺杂
华宁
,
王辰云
,
康雪雅
,
吐尔迪
,
韩英
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10105
利用碳热还原法制备了LiFePO4/C以及Zn掺杂的LiFePO4/C.通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、恒流充放电、循环伏安法等手段对其物化性质进行了分析.结果表明:少量Zn掺杂不改变LiFePO4的晶体结构.在充放电过程中,Zn2+可以减少晶体体积收缩,为锂离子的扩散提供较大的空间,使其充放电性能特别是较高倍率下的循环特性得到提高.
关键词:
LiFePO4
,
Zn掺杂
,
锂离子电池
,
循环性能
段萍
,
罗玉萍
,
朱忠其
,
张瑾
,
柳清菊
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.06.004
采用溶胶-凝胶法制备了锌掺杂 TiO2粉体(Zn-TiO2),采用 XRD、TEM、UV-Vis、PL 等方法对其进行表征和分析。结果表明,Zn 掺杂降低了 TiO2的相转变温度,拓展了 TiO2对可见光的吸收范围,有效地抑制了光生电子-空穴对的复合。光催化降解亚甲基蓝(MB)的实验表明,n(Zn)∶n(Ti)=0.045,400℃烧结的 Zn-TiO2粉体具有最佳光催化性能,在普通日光灯下对亚甲基蓝的降解率达95.77%,明显优于德国 Degussa 公司生产的 P25纯 TiO2光催化剂对亚甲基蓝的降解率44.95%。
关键词:
纳米TiO2
,
Zn掺杂
,
光催化
浦其荣
,
陶汝华
,
许高杰
,
王关生
,
张建武
,
丁泽军
,
孙霞
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.027
我们用固相反应法合成了LaBa2Cu3-xZnxOy(0≤x≤1.0)系列样品.X-光衍射分析显示,在整个掺杂区内皆为正交结构,晶格常数a,b和c随掺杂量的增加略有增大.Zn含量的增加使体系正常态的电阻率上升.红外光谱(IR)表明:对于不掺杂的样品,在531cm-1和583cm-1附近有两个显著的吸收峰,随掺杂量x的增加前者基本不移动,后者则向高频移动,强度略有减小.电子顺磁共振实验(EPR)揭示了Zn掺杂对Cu2+的自旋关联行为的影响.本文讨论了掺杂对结构、输运性质和自旋关联的影响.
关键词:
Zn掺杂
,
结构
,
输运性质
