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溅射功率对磁控溅射ZnO∶Al(ZAO)薄膜性能的影响

高立华 , 郑玉婴

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.08.006

采用射频磁控溅射工艺,以高密度氧化锌铝陶瓷靶为靶材,衬底温度控制在室温,在玻璃基底上制备了透明导电 ZnO∶Al(ZAO)薄膜.利用 X 射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见光谱仪和范德堡法,系统研究了不同溅射功率对薄膜的结构、形貌及光电特性的影响.结果表明,不同溅射功率对薄膜的光透射率影响不大,而对薄膜结晶和电学性能影响较大.XRD 表明薄膜为良好的 c 轴择优取向;可见光区(400~600 nm)平均透过率达到85%以上;在120 W 下沉积的薄膜电学性能达到了最佳.

关键词: ZAO 薄膜 , 溅射功率 , 方块电阻 , 透过率

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