阎兴斌
,
徐洮
,
王博
,
杨生荣
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.05.008
采用电化学沉积方法,甲醇有机溶剂作碳源,在直流电源作用下在单晶硅表面沉积得到碳薄膜.薄膜不溶于苯、丙酮等有机溶剂,具有较高的硬度(16GPa左右),用AFM、Raman和FTIR分析手段对该薄膜表面形貌和结构进行表征,Raman和FTIR结果表明电化学沉积得到的是含氢的类金刚石碳薄膜.通过研究样品薄膜的XPS和XAES谱图特征,进一步证实薄膜是DLC薄膜,并用线性插入法估算出样品薄膜中SP3的相对含量为60%,同时推测了电化学沉积DLC薄膜的生长机理.
关键词:
类金刚石碳膜
,
电化学沉积
,
Raman
,
XAES
