杜Min
,
袁颖
,
张树人
,
唐斌
,
李言荣
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00267
研究了Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)掺杂对BaTiO3(BT)-Nb2O5-ZnO三元系统介电性能与微结构的影响. BaTiO3陶瓷在低温端(-55℃)的电容量变化率随BNT含量的增大而单调降低, 而高温端(150℃)的变化率持续增大, 且居里温度单调递增. 掺杂1.0wt%与2.5wt% BNT的BT陶瓷满足EIA X8R特性. SEM观察表明, BaTiO3陶瓷内部由细小的基质晶粒和第二相晶粒组成, 且第二相比例随BNT含量的增加而增大. XRD分析表明, 基质晶粒为BaTiO33, 第二相晶粒为CaB2Si2O8和NaBiTi6O14. 条状第二相CaB2Si2O8和NaBiTi6O14的产生改变了BT系统的内应力结构是钛酸钡陶瓷居里温度升高以及电容量温度特性改善的原因.
关键词:
X8R
,
barium titanate
,
sodium bismuth titanate
,
multilayer ceramic capacitors
杜旻
,
袁颖
,
张树人
,
杨林波
,
李言荣
功能材料
对三元系统BaTiO3(BT)-Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)-BiNbO4的微结构和介电性能进行了研究.1%(摩尔分数) BNT掺杂使BT的居里温度由127℃大幅提高到140℃.BiNbO4掺杂显著降低了高温端的电容温度变化率,相反低温端的电容温度变化率升高.掺杂3%～4%(摩尔分数)BiNbO4的BT陶瓷满足X8R特性.烧结温度过高时,居里峰明显被抑制,居里温度向低温移动,而低温介电峰向高温移动.SEM结果表明,1%(摩尔分数)BiNbO4掺杂时,陶瓷晶粒细小且尺寸均匀.BiNbO4含量增大,陶瓷内部出现异常生长的第二相晶粒,且第二相比例随BiNbO4含量增加而增大.XRD分析表明,基质晶粒为BaTiO3,第二相包括Ba2TiO4、NaBiTi2O6及BaTiNb4O13.
关键词:
钛酸钡
,
铌酸铋
,
X8R
,
多层陶瓷电容器
杜旻
,
李言荣
,
袁颖
,
王升
,
张树人
材料导报
系统研究了不同半径的稀土离子La3+、Ho3+、Yb3+分别掺杂的BaTiO3陶瓷的相组成、显微结构与介电性能的关系.实验表明,随着稀土离子La3+、Ho3+、Yb3+半径递减,稀土在BaTiO3中的固溶度降低,当稀土掺杂量超出固溶度时,BaTiO3陶瓷中生成焦绿石相.小离子半径的Yb3+掺杂有利于提高居里温度,改善容量温度特性,使瓷料满足EIA X8R规范要求.SEM研究表明,焦绿石第二相会抑制陶瓷晶粒生长,形成稳定的壳-芯结构,从而获得高介电常数和平缓的电容量温度曲线.
关键词:
钛酸钡
,
稀土
,
介电性能
,
微观结构
,
X8R
周晓华
,
张树人
,
王升
,
袁颖
,
李波
材料导报
系统研究了Yb-Mn-CaZrO3掺杂和Yb-Ni-CaZrO3掺杂BaTiO3陶瓷的显微结构与介电性能的关系.实验表明,Mn和Ni离子可以抑制Yb与CaZrO3向BaTiO3晶粒中的扩散,并形成晶粒的"壳-芯"复相结构.SEM和DSC研究表明,掺Ni较之掺Mn更有利于提高陶瓷材料中"壳-芯"结构的稳定性.CaZrO3的引入可提高瓷料的居里温度并改善介电温度稳定性,使上述两种瓷料系统的介电温度特性均满足X8R规范要求.
关键词:
钛酸钡
,
X8R
,
介电性能
,
微观结构
王爽
,
苏皓
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.01.001
对Pb(TiSn)O3掺杂及烧结温度对BaTiO3陶瓷的微观结构和介电性能的影响进行了研究.研究表明,在BaTiO3陶瓷中添加Pb(TiSn)O3,产生细晶效应使介电常数增大,同时居里温度升高到到150℃,电容量变化率特性改善.XRD分析表明,四方率随烧结温度的提高而减小,有助于电容量变化率特性的改善.本实验获得了满足X8R特性的瓷料系统,掺杂0.9mo1%Pb(TiSn)O3的BaTiO3陶瓷在1180℃烧结6小时的介电性能如下:介电常数ε25℃＞1500,介电损耗tanδ＜1.8%,-55 ℃～180℃范围内最大电容量变化率≤±15%.
关键词:
电子材料
,
钛酸钡
,
X8R
,
烧结温度
王升
,
张树人
,
周晓华
,
李波
,
陈祝
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.02.018
对三元系统BaTiO3-Nb2O5-Ni2O3的微结构和介电性能进行了研究.XRD分析表明Nb2O5/Ni2O3协同掺杂的BaTiOa陶瓷为赝立方相结构;在掺杂1.0 mol%Ni的BaTiO3中,Nb的固溶度＜4.0mol%.SEM观察表明,随Nb掺杂量的增加,BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸先增大后减小.BaTiO3陶瓷的室温介电常数、介质损耗,以及在低温端和高温端的电容变化率都随Nb含量的增加而先增大后减小.DSC测量表明,Nb掺杂使BaTiO3陶瓷的居里温度向高温方向移动.该系统瓷料介电性质的变化与材料的晶粒尺寸以及掺杂剂导致的相变温度的移动密切相关.本实验在BaTiO3-Nb2O5-Ni2O3系统中开发出了新型的X8R材料,这种材料很有希望用于制备大容量X8R多层陶瓷电容器.
关键词:
BaTiO3
,
X8R
,
介电性能
,
居里温度
李玲霞
,
郭锐
,
王洪茹
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.04.028
研究了综合添加NiNb2O6、CaZrO3和MnCO3对细晶BaTiO3系统介电及耐压性能的影响.NiNb2O6可使BaTiO3居里峰展宽并产生双峰效应;CaZrO3改善了系统的电容变化率,有效抑制了铁电相,提高了耐压强度.MnCO3的加入可有效地阻止晶粒过度长大,改善了微观结构,降低了介质损耗,提高了耐压强度.当NiNb2O6、CaZrO3和MnCO3添加量为2.5mol%、1.5mol%、1.0mol%时,本实验获得了满足X8R温度特性的低频高压MLC瓷料系统.该瓷料可达到如下介电性能:介电常数ε≥2600,△C/C20℃≤±15%(-55～+150℃),损耗tgδ≤0.7%,耐压强度Eb ≥15kV/mm.
关键词:
NiNb2O6
,
X8R
,
高压
,
CaZrO3
杜旻
,
袁颖
,
张树人
,
唐斌
,
李言荣
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.02.013
研究了Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)掺杂对BaTiO3(BT)-Nb2O5-ZnO三元系统介电性能与微结构的影响.BaTiO3陶瓷在低温端(-55℃)的电容量变化率随BNT含量的增大而单调降低,而高温端(150℃)的变化率持续增大,且居里温度单调递增.掺杂1.0wt%与2.5wt%BNT的BT陶瓷满足EIA XSR特性.SEM观察表明,BaTiO3陶瓷内部由细小的基质晶粒和第二相晶粒组成,且第二相比例随BNT含量的增加而增大.XRD分析表明,基质晶粒为BaTiO3,第二相晶粒为CaB2Si2O8和NaBiTi6O14.条状第二相CaB2Si2O8和NaBiTi6O14的产生改变了BT系统的内应力结构是钛酸钡陶瓷居里温度升高以及电容量温度特性改善的原因.
关键词:
X8R
,
钛酸钡
,
钛酸铋钠
,
多层陶瓷电容器
