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固溶处理对NiTi薄膜中位错密度的影响

李永华 , 孟繁玲 , 高忠民 , 郑伟涛 , 王煜明

稀有金属材料与工程

用磁控溅射法将NiTi薄膜沉积在纯Cu箔片上,在800℃分别固溶30 min,45 min,60min和120 min;采用X射线傅氏线形分析法计算各固溶时间的位错密度及位错分布参量.随固溶时间的增加,平均位错密度不断下降;亚晶粒尺寸D逐渐增加;平均位错分布参量基本不变.由位错密度及位错分布参量计算得到NiTi薄膜材料的显微硬度值,随固溶时间的增加,显微硬度计算值明显低于测量值.

关键词: NiTi薄膜 , 位错密度 , X射线傅氏线形分析 , 固溶处理

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