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WO3纳米网格的制备及其光催化性能研究?

何晓宇

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.14.023

WO 3是一种带隙约为2.6 eV 过渡金属半导体,可见光便能激发其光催化活性,这极大地提高了太阳光的利用率,但纯 WO 3纳米材料催化活性较低,针对这一难题,国内外研究者大多采取对其表面改性来提高它的光催化性能,对WO 3本身进行原位研究的报道极少。实验致力于改进 WO 3纳米材料的形貌结构来拓展其光催化性能。分别采取 CaCl2和 Na2 SO4为诱导盐,Na2 WO4为 W 源,在一定的 pH 值条件下水热制备WO 3纳米网格和纳米线;并研究了这两种不同形貌结构的 WO 3纳米材料的光催化活性。研究表明,WO 3网格立体网格结构具有更好的催化性能。实验发现 WO 3网格独特的层状结构能减少太阳光的逃逸,增强对光的吸收;网格结构具有更大的比表面积,能增加光催化过程中催化剂与有机物的反应活性点;这两点可能是立体网格结构 WO 3促进光催化反应的重要原因。

关键词: WO 3 , 纳米网格 , 纳米线 , 光催化

Ti 掺杂及退火处理对水热合成 WO 3纳米晶粒结构及气敏性能的影响

冯媛媛 , 杨晓红 , 左佳奇 , 王长远 , 王维 , 马勇

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.04.019

采用水热法制备了不同掺杂浓度的 WO 3∶Ti 纳米晶粒,并在350℃下退火1 h.采用 SEM、XRD 表征了材料的形貌与结构,并测试了用退火前后合成材料制成的薄膜气敏传感器件在200℃下对NO 2的气敏性能.结果表明,Ti 掺杂可以有效抑制WO 3晶粒的生长,减小晶粒尺寸;退火处理使材料的晶相发生了改变,晶粒尺寸进一步减小,晶粒分散性变好.薄膜传感器件的测试结果显示,适量 Ti 掺杂和退火处理均可提高器件对 NO 2的灵敏度,退火后 Ti 掺杂2%样品制成的器件的灵敏度最大,其值达到了15.38,响应恢复时间分别为2.2和1.5 min,且具有良好的可重复性和稳定性.

关键词: Ti 掺杂 , WO 3 , 退火 , 气敏 , 水热法

磁控溅射 WO 3薄膜的制备及其 NO 2气敏特性研究

沈岩柏 , 范安锋 , 张宝庆 , 曹先敏 , 魏德洲 , 刘文刚 , 高淑玲

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.07.026

采用直流反应磁控溅射法,在室温条件下通过改变放电气体压强制备出具有不同膜密度的 WO3薄膜。结构表征结果表明,由单斜晶 WO3纳米颗粒组成的薄膜具有层状结构,随着放电气体压强的增加,膜密度呈下降趋势。气敏特性研究结果表明,由 WO3薄膜制备而成的气体传感器在工作温度为200℃时获得对NO2气体的最大灵敏度,并在50~300℃的工作温度范围内对 NO2气体均展现出良好的气敏特性。在相同的检测条件下,气体灵敏度随着膜密度的减少而增加。

关键词: WO 3 , 薄膜 , 磁控溅射 , NO 2 , 气敏特性

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