李毅
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王海方
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俞晓静
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黄毅泽
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张虎
,
张伟
,
朱慧群
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2009.12.020
基于半导体和金属间的相变特性,伴随着温度、电场、压力的变化,具有相关智能特性的VO_2薄膜材料具有较大的应用潜力.本文主要阐述脉冲激光沉积技术在制备金属氧化物方面的物理过程和技术特点,详细介绍脉冲激光沉积制备VO_2薄膜材料的工艺参数和国内外研究进展,并与几种常规制备方法进行对比,给出脉冲激光沉积掺杂对VO_2薄膜材料特性的影响,以及采用脉冲激光沉积制备VO_2纳米材料,讨论了脉冲激光沉积制备具有智能特性的VO_2薄膜材料存在的问题和发展方向.
关键词:
脉冲激光沉积
,
VO_2
,
薄膜
,
制备
,
掺杂
