朱慧群
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陈飞
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王启汶
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杜尚昆
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李竻康
稀有金属材料与工程
采用共溅射氧化法,在普通玻璃衬底上室温直流溅射沉积钒钼金属薄膜,再在大气环境下经热氧化处理获得掺钼VO2薄膜.通过XRD、SEM、热致相变电学特性等分析,研究制备工艺及掺杂改性对掺钼VO2薄膜的微结构、形貌、热滞回线和相变温度的影响.实验与分析结果表明,与相同厚度的纯VO2薄膜相比,钼掺杂显著改变了VO2薄膜的表面形貌特征,掺钼VO2薄膜呈多晶态且沿VO2(002)择优取向生长,结晶性和取向性明显提高,薄膜的相变温度降低至38℃,热滞回线宽度收窄约至8℃.低温共溅射氧化法制备的掺钼VO2薄膜的热阻效应明显,薄膜的金属-半导体相变特性良好.
关键词:
VO2薄膜
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共溅射
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钼掺杂
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相变
陈颖超
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刘彭义
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唐振方
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叶勤
材料导报
采用射频反应磁控溅射法在普通玻璃衬底上沉积氧化钒薄膜,在高纯N2环境中,不同温度下(350℃、400℃、450℃、500℃)热处理60 min,发现当热处理温度为400℃时,获得具有相变特性的VO2薄膜,其红外光透光率和电导率发生显著变化.薄膜相变温度为55℃左右,相变前后光透过率变化了13％,电阻变化了1.8个数量级.
关键词:
VO2薄膜
,
射频磁控溅射
,
相变
