蔡莉莉
,
李海军
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.02.018
应用兀FTIR技术研究了1.5 MeV不同剂量电子辐照直拉硅(CZ-si)的V-O缺陷在不同温度热处理时的行为.发现随着辐照剂量的增加,间隙氧的吸收峰不断下降,而VO(830 cm-1)强度迅速增加,并且其退火温度随辐照剂量的增加而升高,伴随830 cm-1峰的出现,在860 cm-1处出现一弱的吸收峰,两者有着相似的退火行为.VO0(830 cm-1)与样品中的初始间隙氧含量无关.400℃热处理,出现了889cm-1对应的复合体VO2,其形成主要在退火初期,该峰强度不随退火时间发生变化,但与初始氧含量有关.
关键词:
电子辐照
,
辐照缺陷
,
VO
,
FTIR
杨帅
,
马巧云
,
刘铁驹
,
李养贤
,
李永章
,
牛胜利
,
李洪涛
,
牛萍娟
功能材料
应用FTIR技术研究了不同剂量(1×1017～1.17×1019n/cm2)快中子辐照直拉硅(CZ-Si)的辐照缺陷和间隙氧在不同温度热处理时的行为.发现随辐照剂量的增加未退火的样品的间隙氧含量迅速下降,并且间隙氧的下降明显分为3个阶段.FTIR谱表明快中子辐照后主要的辐照缺陷为VO(829 cm-1)复合体.在低温条件下热处理300℃829cm-1(VO)开始消失并出现了825 cm-1(V2O2)、833cm-1(V3O2)、和840cm-1(V2O)和919cm-1(I2O2)四个红外吸收峰,退火温度升高到500℃后只剩下了825cm-1和919cm-1两个缺陷-杂质复合体的红外吸收峰.高温1100℃0.5h辐照引入的缺陷-杂质复合体很快的被消除.延长退火时间辐照样品和未辐照样品的间隙氧沉淀速度有很大的不同.
关键词:
快中子辐照
,
辐照缺陷
,
VO
,
FTIR
