孙聂枫
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杨光耀
,
吴霞宛
,
曹立新
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赵权
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郭维廉
,
赵有文
,
孙同年
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.004
在未掺杂和掺Fe的LEC-In中用FT-IR测试到VInH4的存在.已经证实该缺陷在LEC-InP中普遍存在.经研究表明在掺Fe的InP中的VInH4浓度比在未掺杂中的高.而在同一晶锭中其浓度分布是头部高,尾部低.讨论了其对未掺杂InP的电子特性和掺Fe的InP的补偿的影响,及其对InP热稳定性的影响.
关键词:
InP
,
VInH4
,
补偿
