刘继琼
,
鲁晓刚
上海金属
通过建立特殊准随机结构(SQS),采用第一性原理VASP程序,用两种不同的弛豫方法分别对二元fcc Ni-X(X=Al,Au,Cu,Ga,Mo,Pt,Ta,W)无序合金的晶格常数和体弹模量随成分的变化进行了计算.这两种弛豫方法分别是离子弛豫法和体积弛豫法.最终计算结果表明,两种计算方法所得的晶格常数和体弹模量非常相近.因此在计算二元无序合金的晶格常数和体弹模量时,可以只做体积弛豫.这不仅大大简化了计算步骤,而且能够保持点阵的对称性,为计算二元合金的体积和体弹模量提供了准确高效的计算方法.
关键词:
第一性原理
,
晶格常数
,
体弹模量
,
VASP
,
SQS
,
离子弛豫
,
体积弛豫
杨金
,
代月花
,
徐太龙
,
蒋先伟
,
许会芳
,
卢金龙
,
罗京
,
陈军宁
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.17.010
基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理和VASP仿真软件,分析了阻变随机存储器(RRAM)阻变效应的物理机制。对比计算了单斜晶相 HfO2中Ag掺杂体系、氧空位缺陷体系和 Ag 及氧空位缺陷共掺杂复合缺陷体系的能带、态密度、分波电荷态密度面和形成能,结果表明在相同浓度下 Ag 掺杂体系能形成导电通道,而氧空位缺陷体系不能形成导电通道；共掺杂体系中其阻变机制以 Ag 传导为主,氧空位缺陷为辅,且其形成能变小,体系更加稳定。计算共掺杂体系的布居数和迁移势垒,得出在氧空位缺陷存在的前提下,Ag-O 键长明显增加,Ag 离子的迁移势垒变小,电化学性能增强。进一步计算了缺陷间的相互作用能,其值为负,表明缺陷间具有相互缔合作用,体系更加稳定。
关键词:
VASP
,
阻变效应
,
缺陷
,
导电通道
,
RRAM
