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V掺杂对La0.45Ca0.55MnO3电荷有序态及输运性质影响的研究

王桂英 , 严国清 , 彭振生 , 刘宁

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2010.03.006

采用标准固相反应法制备了La0.45Ca0.55Mn1-xO3(x=0.00,0.06,0.10,0.12)多晶样品.通过XRD、ρ-T曲线、M-T曲线和ρ-T拟合曲线,研究了Mn位V5+离子掺杂对体系的电荷有序相及输运性质的影响.实验结果表明:随着V5+离子的掺杂量的增加,电荷有序相(CO)逐渐削弱,当x=0.10时,CO相基本融化但还有部分残留,当x=0.12时CO相完全融化;对低掺杂(x=0.00,0.06)样品,表现出复杂磁相:随温度降低,发生顺磁-电荷有序-反铁磁相变,40 K附近,在反铁磁背景下产生再入型自旋玻璃态;随掺杂量增加,体系的电阻率逐渐减小,当掺杂量x≥0.10时,样品发生金属-绝缘体相变,其相变温度随着掺杂量的增加而向高温移动.对于金属型导电机制满足自旋波散射和电-磁子之间的散射,而绝缘体导电机制有两种情况:x≤0.10的样品满足变程跃迁模型ρ=ρ0exp(T0/T) 1/4,x=0.12的样品则满足小极化子绝热最近邻跃迁模型ρ=ATexp(Eα/κBT),通过掺杂实现了从变程跃迁到绝热小极化子最近邻跃迁.

关键词: 钙钛矿锰氧化物 , 电荷有序 , V掺杂 , 再入型自旋玻璃态

V掺杂TiO_2纳米管阵列的制备及光催化研究

徐宝龙 , 张启富 , 张晓君 , 孙海燕 , 都有为

功能材料

以钒钛合金为原料,应用阳极氧化法制备出高度致密、有序的V掺杂TiO2纳米管阵列。应用扫描电镜(SEM)和粉末X光衍射仪(XRD)表征分析纳米管阵列的形貌和结构,结果表明在浓度不同的HF电解液下制备出径向不同的纳米管阵列,电解液浓度(0.5%~1.5%(质量分数)),管径变化(39.7~72.7nm)。在室温、可见光照射条件下,以10mg/L的亚甲基蓝溶液为模拟污染物进行光催化降解试验,研究了其光催化性能。结果显示V掺杂TiO2纳米管阵列光催化性能优于纯TiO2纳米管,且在HF电解液浓度为1.0%(质量分数)时制备出来的TiO2纳米管光催化降解有机毒物性能最佳。

关键词: TiO2纳米管阵列 , 阳极氧化法 , V掺杂 , 光催化

Cr3+或V3+替代Mn3+对La0.4Ca0.6MnO3电荷有序相的影响

彭振生 , 宋启祥 , 杨刚 , 王桂英 , 唐永刚 , 毛强

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.01.013

用固相反应法制备了La0.4 Ca0.6 Mn1 -xCrxO3(LCMCO)和La0.4Ca0.6Mn1-yVyO3 (LCMVO)(x,y=0.00,006,0.08)多晶样品.通过XRD、M-T曲线、ESR谱线,研究了Cr3+或V3+替代Mn3+对La0.4Ca0.6MnO3电荷有序相的影响.实验结果表明:电荷有序相随着Cr掺杂浓度的增加而被破坏,在LCMCO体系中电荷有序相几乎完全消失;而当V掺杂时,虽然电荷有序相随着V成分的增加会逐渐变弱,但电荷有序相依然存在于LCMVO体系中.用V3+替代Mn3+只是对于长程的电荷有序仅仅起了隔断的作用;用Cr3+替代Mn3+破坏了CE型反铁磁的自旋序从而引起电荷序的融化.从实验上证明了电荷序CE型反铁磁体系中,电荷序和自旋序存在强耦合相互作用.

关键词: 钙钛矿锰氧化物 , 电荷有序 , V掺杂 , Cr掺杂

掺杂V的SmFe合金结构转变规律及磁性能的研究

毛永军 , 李红卫 , 罗阳 , 靳金玲 , 李扩社 , 于敦波

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.04.005

通过感应熔炼制备了不同V掺杂量的铸态SmFe9-xVx(x=0,0.4,0.8,1.2,1.6,2.0)合金,经过850℃,5h均匀化退火处理,采用XRD,VSM等方法分析了SmFeV合金的结构和性能,进而研究V掺杂对SmFe合金的结构和性能的影响规律.结果表明:随V掺杂量增加,SmFe合金的相结构发生显著变化,x≤0.4时,SmFeV合金以Th2Zn17型结构存在,x=0.8时,Th2Zn17结构开始转变为ThMn12型结构,但仍有Th2Zn17相存在,当x=1.2时,Th2Zn17相完全消失,转化为ThMn12结构相,随V含量进一步增加,达到x=1.6时,ThMn12结构又开始转变为3∶29型结构,当x=2.0时,ThMn12结构相完全消失,转变为3∶29结构相;V掺杂影响SmFe合金结构变化的同时,对SmFe合金的居里温度也有显著影响:当V掺杂量x =0.4时,Th2Zn17结构相的居里温度大幅度提高,从400K上升到470K;随V掺杂量进一步增加,居里温度呈现先升高后下降趋势,在x=1.2时获得最高居里温度,即Tc=590 K,x=2.0时,居里温度下降到最低值,即Tc=480 K;另外,矫顽力随V掺杂量增加也呈现先升高后下降趋势,在x=1.2时获得最高矫顽力,即iHc=207 kA·m-1,同时其剩磁及剩磁比分别为Mr=210 kA·m-1,Mr/M∞ =0.5.

关键词: SmFe合金 , V掺杂 , 相结构转变

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