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刘玉岭 , 檀柏梅 , 李志 , 刘立威
稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.06.004
对超大规模集成电路制备中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件的选择进行了大量理论和实验研究,着重研究了使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及如何解决抛光浆料的沉积等问题,并实现了技术突破.
关键词: 化学机械抛光 , 全局平面化 , 多层布线 , ULSI , 二氧化硅
