王浩
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廖常俊
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范广涵
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刘颂豪
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郑树文
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李述体
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郭志友
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孙慧卿
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陈贵楚
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陈炼辉
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吴文光
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李华兵
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.018
在MOCVD质量控制生长模式下,通过分析Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料在衬底表面的反应过程,建立了一个实用的生长模型.此模型是基于分子动力学、化学反应热力学理论分析之上的.针对Turbo-Disc 反应体系,分析了Turbo-Disc 的传热以及质量传送模式后, 建立了Turbo-Disc的生长模型.在此模型中建立了输入反应室的参数(IPs)和边界层的生长参数的关系.在对组分匹配的GaInP/GaAs 三组分生长体系进行分析时,发现此模型是非常有效的,理论计算的结果与实验得到的结果非常吻合.应用此模型在实际生产中可以迅速地得到匹配的多组分外延层.
关键词:
MOCVD
,
Turbo-Disc
,
生长动力学
,
GaInP
