宋平新
,
赵志伟
,
徐晓东
,
姜本学
,
邓佩珍
,
徐军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.023
采用提拉法生长出三种掺Tm3+浓度的Tm:YAG晶体.运用ICP-AEs测定Tm3+离子在Tm:YAG晶体中的分凝系数约为1.室温下测定了Tm:YAG晶体在190～900nm之间的吸收光谱及1000～4500cm-1范围内退火前后的红外吸收谱.测试结果表明,退火后3365cm-1处OH-1离子的吸收峰完全消失.说明在空气气氛下对Tm:YAG晶体进行退火处理改善了晶体的性能.
关键词:
Tm:YAG晶体
,
提拉法
,
晶体生长
,
分凝系数
,
吸收光谱
,
退火
宋平新
,
赵志伟
,
徐晓东
,
邓佩珍
,
徐军
无机材料学报
采用提拉法(CZ)生长了质量优异的Tm:YAG晶体.部分晶片在1000℃的空气气氛中退火25h.借助光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM),结合化学腐蚀法,对Tm:YAG晶体退火前后(111)面的缺陷特征进行了研究. Tm:YAG晶体(111)面的位错腐蚀坑呈三角形. 在偏光显微镜下观察了退火前后Tm:YAG晶体(111)面的应力双折射.同时应用高分辨X射线衍射法测定了晶体的完整性.实验结果表明,长时间空气气氛下高温退火有效降低了晶体中总的位错密度,提高了晶体质量.
关键词:
Tm:YAG晶体
,
chemical etch
,
dislocation
,
annealing
宋平新
,
赵志伟
,
徐晓东
,
邓佩珍
,
徐军
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.04.017
采用提拉法(CZ)生长了质量优异的Tm:YAG晶体.部分晶片在1000℃的空气气氛中退火25h.借助光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM),结合化学腐蚀法,对Tm:YAG晶体退火前后(111)面的缺陷特征进行了研究.Tm:YAG晶体(111)面的位错腐蚀坑呈三角形.在偏光显微镜下观察了退火前后Tm:YAG晶体(111)面的应力双折射.同时应用高分辨X射线衍射法测定了晶体的完整性.实验结果表明,长时间空气气氛下高温退火有效降低了晶体中总的位错密度,提高了晶体质量.
关键词:
Tm:YAG晶体
,
化学腐蚀
,
位错
,
退火
