季鲁
,
阎少林
,
赵新杰
,
方兰
,
李永刚
,
何明
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.01.004
我们研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有CeO2/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD 实验结果表明,Tl-2212薄膜都具有很好的C轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102.8 K,Jc(77 K,0 T)达到2.6 MA/cm2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜Tc可达97.7 K,Jc(77 K,0 T)也可以达到0.45 MA/cm2.
关键词:
Tl-2212
,
RABTiS
,
缓冲层
,
YSZ
,
CeO2
季鲁
,
阎少林
,
赵新杰
,
方兰
,
李永刚
,
何明
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.070
我们研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有CeO2/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD 实验结果表明,Tl-2212薄膜都具有很好的c轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102.8 K,Jc(77K,0T)达到2.6 MA/cm2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜的Tc可达97.7K,Jc (77K,0T)也可以达到0.45MA/cm2.
关键词:
Tl-2212
,
RABTiS
,
缓冲层
,
YSZ
,
CeO2
赵新杰
,
季鲁
,
陈恩
,
左涛
,
周铁戈
,
陈思
,
阎少林
,
方兰
,
左旭
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.047
在3×10×0.5mm3的LaAlO3(001)基片上,利用直流磁控溅射生长一层厚度约为700nm的非晶态Tl2Ba2CaCu2Ox先驱薄膜.将先驱薄膜与热处理过的Tl2Ba2Ca2Cu3Oy块材(作为Tl源)一起在720～860℃温度下退火.为了研究薄膜的初期成核情况,退火时间一般为5分钟.利用XRD和完全抗磁性测试方法对样品的成相情况进行研究,结果显示,在薄膜生长的初期,较高的退火温度可以获得较大尺寸的初期生长核,但是退火温度达到860℃时,初期成核的晶粒尺寸变小.
关键词:
Tl-2212
,
高温超导薄膜
,
生长机理
,
热处理
黎松林
,
陈莺飞
,
王瑞兰
,
徐小平
,
田海燕
,
王奉波
,
雍俐培
,
胡芳仁
,
赵新杰
,
林德华
,
郑东宁
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.061
优化了各项试验参数,运用后退火方法成功制备了2英寸Tl-2212超导薄膜.为避免真空室污染,制备过程中先利用脉冲激光法在LaAlO3基片上沉积出不含Tl的Ba2CaCu2Ox前驱膜,然后在720～740℃下的流动氩气氛中进行铊化后退火处理,制备的薄膜外观均匀光滑.2θ扫描表明,薄膜具有良好的c轴外延性.SEM图像显示,薄膜以层状生长为主,表面存在孔洞、团状颗粒以及少量针状晶粒.最佳薄膜零电阻温度TC0～108K,临界电流密度Jc>106A/cm2,表面电阻Rs～0.5mΩ.
关键词:
超导薄膜
,
脉冲激光沉积
,
Tl-2212
