王传新
,
汪建华
,
满卫东
,
马志斌
,
王升高
,
傅朝坤
,
李克林
,
康志成
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.037
以WC-6%Co为基体,采用磁控溅射法,在酸蚀后进行氢等离子体脱碳试样上制备Ti过渡层,然后碳化过渡层为TiC.在电子辅助热丝化学气相沉积装置中制备金刚石薄膜.研究碳化条件对金刚石薄膜与基体附着力的影响.结果表明,在700℃左右的低温碳化,TiC结构致密,而在850℃左右的高温碳化,TiC呈疏松的多孔组织,在CH4-Ar等离子体中碳化则850℃左右仍能获得致密的TiC层.在致密的过渡层上沉积的金刚石薄膜具有更高的附着力.
关键词:
硬质合金
,
HFCVD
,
金刚石薄膜
,
Ti过渡层
李冬梅
,
王旭波
,
潘峰
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.05.033
纯铝薄膜以其低声阻抗特性被广泛应用于声表面波(SAW)器件的制作.随着通讯频率的不断提高, 对SAW器件用Al薄膜的功率承受力以及与基体的附着力提出了越来越高的要求.采用少量易于反应离子刻蚀的Mo元素掺杂来改善Al合金的抗电迁移和功率承受力, 并以数纳米的Ti过渡层增强Al-Mo合金薄膜的取向性.结果表明: Ti/Al-Mo薄膜表现出强(111)织构, 与纯Al薄膜相比, 晶粒明显细化且致密均匀, 临界载荷大大增加, 与基体的附着力显著增强, 并具有良好的刻蚀性能.
关键词:
Al-Mo薄膜
,
Ti过渡层
,
附着力
,
声表面波
岳安娜
,
彭坤
,
周灵平
,
朱家俊
,
李德意
材料导报
Al/Cu键合界面金属间化合物的形成是导致微电子器件失效的重要因素之一,总结了微电子器件生产和使用过程中Al/Cu键合界面金属间化合物的生长规律,分析了Al/Cu键合系统的失效机制.热超声键合过程中,Al焊盘上氧化铝层的破裂使金属间化合物的形成成为可能,键合及器件使用过程中,金属间化合物和柯肯德尔空洞的形成和长大最终导致键合失效.采用在Al焊盘上镀覆Ti过渡层的方法,可有效降低键合系统中Cu原子的扩散速度,抑制金属间化合物的生长,从而提高电子元器件的可靠性.
关键词:
Al/Cu键合
,
金属间化合物
,
扩散
,
Ti过渡层
胡小草
,
刁训刚
,
郝雷
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.03.009
利用磁控溅射在柔性基底上制备了大面积的TiO2/Ag/Ti/TiO2多层膜, 其中TiO2和Ag分别采用中频反应溅射和直流磁控溅射制备, 同时采用Ti作为过渡层, 有效地防止了在溅射最外层TiO2时对Ag膜连续性的破坏.利用紫外可见分光光度计, 四探针电阻仪, 扫描电子显微镜, 红外比辐射率测量仪对薄膜的表面形貌和光电特性进行了表征, 重点研究了不同膜层厚度对多层膜可见光透过率, 方块电阻和红外发射率的影响.结果表明, Ag层厚度对多层膜的方块电阻和红外发射率有决定性的影响, 而TiO2层厚度对此影响不大.
关键词:
大面积
,
柔性基底
,
中频反应溅射
,
Ti过渡层
,
红外发射率
