原晓波
,
刘宜华
,
黄宝歆
,
王成建
,
张汝贞
,
梅良模
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.012
系统地研究了Ti掺杂对La0.67Ba033MnO3颗粒材料磁性、电性和磁电阻效应的影响,随着Ti含量的增加,材料的磁化强度和居里温度快速下降,电阻率急剧增大,电阻率的峰值逐渐向低温移动.Ti的掺杂对材料低温下低场磁电阻影响不大,主要是显著提高了材料的本征磁电阻.1%的Ti掺杂使材料的室温磁电阻得到显著增强,1T磁场下,室温磁电阻达到-8.4%,比未掺杂的La0.67Ba0.33MnO3材料增强了50%.
关键词:
La0.67Ba0.33MnO3
,
Ti掺杂
,
磁电阻
,
电阻率
,
磁化强度
李荣
,
罗小玲
,
梁国明
稀有金属材料与工程
采用密度泛函理论(DFT)第一性原理的平面波超软赝势方法,对Ti掺杂VH2的超晶胞体系进行了几何结构优化.结果表明,随着Ti掺杂量的增加,V1-xTixH2晶胞参数逐渐增大,体系的总能量逐渐增大,体系的稳定性逐渐减弱,有利于改善放氢性能.对V1-xTixH2(x=0,0.13,0.30,0.48,0.65,1)的电子态密度、净电荷、键级以及电子密度进行了计算和分析.计算结果表明:随着Ti掺杂量的增加,V的净电荷逐渐增加,而H的净电荷逐渐减少,V-H的离子性相互作用增强,共价性相互作用减弱；在VH2中掺杂一定量的Ti以后,V-H之间的键级增大,V-H之间的相互作用增强,从而改善吸氢性能.当Ti含量大于0.48时,V-H之间的键级反而减小,V-H之间的相互作用减弱,合金的吸氢性能降低.
关键词:
Ti掺杂
,
VH2
,
电子结构
,
第一原理计算
马国佳
,
张晓囡
,
武洪臣
,
张华芳
,
彭丽平
稀有金属材料与工程
采用磁控溅射沉积万法在钛锚合金基体上制备有Ti与无Ti的类金刚石(DLC)膜,全方位离子注入(PSlI)技术被用来在膜与基体之间形成过渡层,提高膜基界面的附着力.通过X射线光电子能谱、纳米压痕、摩擦磨损等表征手段比较2种薄膜的化学组成、微结构特征和力学性能.结果表明:掺Ti α-C:H膜是含有TiC纳米晶粒的复合膜结构,其中TiC晶粒的大小约是5 nm,掺Ti α-C:H膜的力学性能得到明显改善,硬度被提高到24 GPa左右,而且结合力也明显得到提高.在大气中对样品进行热处理后,再进行摩擦磨损试验,结果表明 Ti 掺杂改善了α-C:H膜的热稳足性.
关键词:
α-C:H膜
,
类金刚石
,
PSII
,
Ti掺杂
杨昆
,
杨祥龙
,
陈秀芳
,
崔潆心
,
彭燕
,
胡小波
,
徐现刚
人工晶体学报
使用物理气相传输方法(PVT)制备了2英寸Ti掺杂与非故意掺杂6H-SiC衬底,并对衬底进行热处理.使用拉曼光谱仪、低温光致发光谱(LTPL)和非接触电阻率测试对衬底晶型、掺杂元素和电阻率进行了表征.结果表明,Ti元素有效掺入6H-SiC中,Ti掺杂对PVT方法生长的6H-SiC衬底晶型稳定性无影响,Ti掺杂衬底与非故意掺杂衬底均为6H-SiC,热处理后Ti掺杂衬底电阻率达到1010～1011Ω·cm.初步认为Ti掺杂衬底热处理过程中产生的大浓度碳空位Vc是引起Ti掺杂样品电阻率上升的主要原因.
关键词:
物理气相传输
,
Ti掺杂
,
6H-SiC
,
电阻率
曹小明
,
田冲
,
张劲松
,
刘强
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.02.021
采用高分子热解和反应烧结方法制备出泡沫碳化硅陶瓷,研究了泡沫碳化硅陶瓷的体积分数变化和钛的掺杂对泡沫碳化硅陶瓷骨架导电性能的影响.结果表明:随着泡沫碳化硅陶瓷的体积分数提高,泡沫碳化硅陶瓷的电阻率降低,这是泡沫碳化硅陶瓷筋中部碳化硅的面积增加所引起的;掺杂的钛转变成TiSi2导电相改善了泡沫碳化硅陶瓷的导电性能.TiSi2呈现离散和团聚两种形态分布,以不规则的形状位于碳化硅晶界之间,在碳化硅中作为施主杂质.泡沫碳化硅陶瓷表现出的正或负温度系数取决与掺杂的钛量的多少.
关键词:
无机非金属材料
,
泡沫碳化硅陶瓷
,
Ti掺杂
,
导电性能
杨淼
,
薛丽红
,
李元元
,
严有为
复合材料学报
采用溶液燃烧法制备了一系列不同Ti掺杂量的LaNiO3光催化剂，研究了Ti掺杂量对其相结构、形貌和光催化性能的影响。采用XRD、SEM、EDS及光致发光光谱（PL）等对其进行了表征和分析。结果表明：采用溶液燃烧法可获得单一钙钛矿相的LaNiO3，随着Ti掺杂量的增加，晶面间距逐渐增大；Ti掺杂量对颗粒的形貌大小影响较小，颗粒近似球形，粒径分布均匀，约为80nm。可见光催化实验结果表明，当Ti掺杂量为3．0％（质量分数）时，所得催化剂的催化效果最好，适量的Ti掺杂可显著降低光生载流子的复合几率。
关键词:
溶液燃烧
,
LaNiOs
,
Ti掺杂
,
光催化性能
张静玉
,
刘庆峰
,
刘茜
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2009.10.003
应用组合材料芯片技术,以离子束溅射法在低碳钢基片上制备了不同Ti掺杂量的Zn-Al-Ti薄膜(Al和Zn质量分数分别为55%和45%)样品阵列.沉积得到的多层薄膜经低温扩散和高温晶化形成合金薄膜.以电化学方法测定合金薄膜在浓度(质量分数)为3.5%的中性NaCl水溶液中的耐蚀性能,并进一步研究了优选出的组分的耐蚀性.结果表明,Ti的适量掺杂可使合金薄膜的耐蚀性能明显提高.其中,Ti的质量分数在6%左右时耐蚀性能最佳.采用XRD及SEM对6%Ti的合金薄膜的相结构和表面形貌进行了表征,并与未掺杂Ti的薄膜进行了比较.此外,分析了Zn-Al-6%Ti合金薄膜的腐蚀机理,为进一步优化薄膜体系提供了依据.
关键词:
Ti掺杂
,
Zn-Al合金薄膜
,
耐腐蚀
,
组合材料芯片技术
胡成林
,
代建清
,
戴永年
,
易惠华
材料导报
采用固相法合成了锂离子电池正极材料LiFePO4.为了提高LiFePO4的电化学性能,用Ti4+对LiFePO4进行掺杂.通过X射线衍射分析及电化学测试,研究了Ti掺杂对材料的结构和电化学性能的影响.以Li3PO4为锂源,(C4H9O)4Ti为掺杂源,合成了单一相Li1-xTixFePO4(x=0.005、0.01、0.02和0.03).实验研究表明,掺入少量的Ti4+,可以减小晶胞体积,有效地提高了LiFePO4的循环性能和比容量.当(C4H9O)4Ti的掺入量为1 mol%时,在50mA/g的充放电电流下,首次放电比容量为123 mAh/g;经过60次循环后,容量基本上无衰减.
关键词:
锂离子电池
,
LiFePO4
,
Ti掺杂
王连洲
,
施剑林
,
禹剑
,
阮美玲
,
严东生
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.01.008
在室温碱性条件下合成了Ti掺杂的介孔硅材料MCM-41,借助XRD、IR、HREM和N2吸附等分析手段, 探讨了Ti掺杂量对介孔材料结构和性能的影响. 结果表明: 掺杂的Ti离子可以进入Si骨架,并生成Si-O-Ti键. 随着Ti掺杂量的增加,六方规则排列的介孔硅结构有序度下降,最终可导致结构一致性的破坏.
关键词:
介孔硅材料
,
Ti掺杂
,
介孔结构
曹小明
,
田冲
,
张劲松
,
刘强
材料研究学报
采用高分子热解和反应烧结方法制备出泡沫碳化硅陶瓷,
研究了泡沫碳化硅陶瓷的体积分数变化和钛的掺杂对泡沫碳化硅陶瓷骨架导电性能的影响.
结果表明: 随着泡沫碳化硅陶瓷的体积分数提高, 泡沫碳化硅陶瓷的电阻率降低,
这是泡沫碳化硅陶瓷筋中部碳化硅的面积增加所引起的;
掺杂的钛转变成TiSi$_{2}$导电相改善了泡沫碳化硅陶瓷的导电性能.
TiSi$_{2}$呈现离散和团聚两种形态分布, 以不规则的形状位于碳化硅晶界之间,
在碳化硅中作为施主杂质. 泡沫碳化硅陶瓷表现出的正或负温度系数取决与掺杂的钛量的多少.
关键词:
无机非金属材料
,
null
,
null
