陈京兰
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孟丽琴
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赵德乾
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高书侠
,
杜江
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吴光恒
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.016
利用磁悬浮冷坩埚提拉法技术生长了Tb2Fe17和Tb2(Fe,Si)17的单晶,并用差热分析等方法研究了材料的相图。研究结果表明:Tb2Fe17的相关系并非以往报道的包晶反应,而是同成分熔化。本文还给出了Tb2Fe17化合物附近的新相图。采用优化后的生长条件,获得了缺陷较少的Tb2Fe17和Tb2(Fe,Si)17高质量单晶。分析了Si替代对于化合物结构的影响。测量了Tb2Fe17单晶样品的基本磁性。从材料的一级磁化过程的测量可以看出,在理想配比条件下最容易获得缺陷密度低的单晶样品。这种磁性测量方法为了解单晶的完整性提供了一个有效的间接观察方法。
关键词:
Tb2Fe17
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Tb2(Fe,Si)17
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提拉法单晶生长
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相图
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磁性测量