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铽掺杂纳米晶GaN薄膜的室温可见发光

王涛 , 潘孝军 , 张振兴 , 李晖 , 谢二庆

中国稀土学报

利用直流磁控反应式共溅射方法制备了GaN:Tb薄膜. XRD结果显示,该薄膜为纳米晶结构,根据Scherrer公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为4.8 nm; 紫外可见谱表明在可见光区薄膜的平均透过率大于75%,同时利用Tauc公式计算得到了薄膜的光学带隙为3.07 eV; 测量了薄膜的室温光致发光谱,获得了Tb3+在可见光区(位于497.0,552.4,594.2以及627.8 nm)的本征发光.

关键词: 反应溅射 , nc-GaN薄膜 , Tb掺杂 , 光致发光 , 稀土

Tb掺杂Fe基纳米晶片状微波吸收剂制备

胡照文 , 邓联文 , 刘秀丽 , 周克省 , 黄伯云

功能材料

采用气体雾化工艺制备的Tb掺杂Fe合金粉为原料,经高能球磨处理和真空退火处理制备薄片状外形和纳米晶微结构的Tb掺杂Fe基合金吸收剂;选用改性聚氨酯为胶粘剂,以Tb掺杂Fe基合金吸收剂为填料制备了吸波涂层.研究了掺杂稀土元素Tb对合成材料微波电磁特性的影响,并对Tb掺杂的Fe基合金吸收剂的微波电磁参量和吸波性能做了测量和分析评价.结果表明,重稀土元素Tb的掺入能有效调整材料的微波磁导率及其频响特性,有利于获得高微波磁导率和大磁损耗(2GHz处,试样的复磁导率实部μ′和虚部μ″分别达6.1和4.3);基于Tb掺杂的Fe基纳米晶薄片状吸收剂制备的薄层吸波涂料在2~18GHz的微波宽频带具有良好的吸波性能(厚度1mm涂层的全频段吸波性能优于-4.5dB),可以应用于民用抗电磁辐射干扰和军事隐身技术领域.

关键词: Fe基纳米晶 , Tb掺杂 , 吸波材料 , 抗电磁辐射 , 隐身技术

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