肖田
,
林明通
,
徐毅
,
陈晨曦
,
陈国荣
,
杨云霞
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.02.005
用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530～730nm的SrTiO3/Ta2O5复合介电层,获得在500Hz下介电常数为48～73,反映介电损耗的参数ΔVy在0.06～0.15V之间,击穿场强为106～139MV/m,在0.05V/nm的电场下正、反向漏电流在10-9～10-7A/cm2之间,品质因子(εrεoEb)大于5μc/cm2.同时比较了SrTiO3/Ta2O5复合介电层和SrTiO3和Ta2O5单层薄膜的介电性能.把复合膜应用于以ZnS:Mn和Zn2Si0.5Ge0.5O4:Mn为发光材料的器件中,获得了适当的阈值电压和较高的亮度.
关键词:
无机EL
,
SrTiO3薄膜
,
Ta2O5薄膜
,
SrTiO3/Ta2O5复合膜
