王立锦
,
张辉
,
滕蛟
,
朱逢吾
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.09.016
用直流磁控溅射方法制备了Ta(x nm)/Ni65Co35(40 nm)双层薄膜(x=0,1,2,3,4,5 nm),研究了Ta种子层不同制备工艺条件对Ni65Co35(40 nm)薄膜的各向异性磁电阻(AMR)和矫顽力的影响;通过X射线衍射(XRD)对Ni65Co35薄膜的微结构进行了分析.结果表明,适当的Ta种子层的厚度和较高的溅射速率有利于Ni65Co35薄膜(111)织构形成,并能显著提高Ni65Co35膜薄的AMR值和磁传感元件的灵敏度.
关键词:
Ni65Co35 薄膜
,
Ta 种子层
,
各向异性磁电阻
,
织构
