宋泳锡
,
劉聖烈
,
柳在一
,
張炳鉉
,
李禹奉
,
李貞烈
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.009
为了获得更高性能的TFT-LCD面板,在光刻时保证精细的图形成像十分重要,其中,如何制作出尺寸更小的通孔图形是主要的问题之一.本文提供的研究中,我们只简单地改变了一下烘烤工艺,而不需要改变Eop和显影时间,就可以将通孔图形的尺寸减小20 %～25 %.在后续的刻蚀工艺中,通孔的尺寸能显著减小.
关键词:
TFT-LCD
,
光刻
,
通孔图形
,
尺寸
金奉柱
,
崔瑩石
,
劉聖烈
,
張炳鉉
,
柳在一
,
李禹奉
,
李貞烈
,
Jung-yeal LEE
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.001
为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差.通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行.为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替 SF6气体进行刻蚀,结果在FFS 5.16(2.03 in)像素结构中,开口率提高了60 %.
关键词:
TFT-LCD
,
开口率
,
刻蚀
,
CF4等离子体
李丽
,
秦纬
,
薛建设
,
彭志龙
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.01.006
在TFT-LCD的生产过程中,阵列金属被腐蚀是造成TFT-LCD产品缺陷(亮线、薄亮线等)的常见原因.文章对实际生产过程中阵列基板的一种典型腐蚀性缺陷,应用扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子柬(FIB)和能谱仪(EDS)等工具,并且结合BO(Business Objects)、CIM(Computer Integrated Manufacturing)等数据统计软件进行了分析.确定了造成缺陷的原因是栅金属暴露在含氯元素的酸性气体中被腐蚀,还确定了酸性气体的泄露源,并且推断出其形成机理:腐蚀发生在栅金属刻蚀(Gate Etch)工艺和多层膜沉积(Multi-Deposition)工艺之间,随后的多层膜沉积工艺的抽真空过程促进了缺陷的进一步形成.另外,针对发生此种缺陷时的应急措施进行了探讨.
关键词:
TFT-LCD
,
阵列
,
腐蚀
,
缺陷分析
,
SEM
黄东升
,
赵凯
,
夏子祺
,
王威
,
张志男
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112601.0023
在TFT-IA2D的生产过程中,取向层表面针孔缺陷是造成产品不良的常见原因.应用聚焦离子束(FIB)、扫描电子显微镜(SEM)和光学测量系统(0MS)工具,并结合数据统计软件Business Objects(BO)对实际生产过程中的一种典型产品不良--黑点,进行了测试和分析.结果表明,取向层表面针孔缺陷是产生黑点不良的根本原因.在此基础上,进一步通过理论分析和实验研究证明,成膜过程中膜液的流体力学不稳定性是导致取向层表面针孑L缺陷的重要原因,而固化时间则是影响流体力学不稳定性的重要参数.膜液流体力学不稳定性的充分发展并最终对膜结构产生影响需要一定时间,当固化时间接近甚至小于不稳定性充分发展的时间时,取向层表面产生针孔缺陷的机会将大大减小甚至消除.
关键词:
TFT-LCD
,
取向
,
针孔
,
预烘
,
缺陷分析
,
流体力学不稳定性
王海成
,
董天松
,
郑英花
,
刘华
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132805.0707
研究了TFT-LCD制造工艺中产生Zara Particle的影响因素.采用Mac/Mic,SEM,EDX等检测设备,对Zara点状不良进行了大量的实验测试、数据分析和理论研究工作,对其产生的原因提出了两种不同的理论观点.通过调整聚酰亚胺薄膜厚度和摩擦工艺参数等一系列措施,产品质量得到了很大的提高,Zara点状不良从改善前的21.2％降低到1.69％,大大提高了产品良率,为以后相关问题的研究奠定了一些理论基础.
关键词:
TFT-LCD
,
Zara点状不良
,
聚酰亚胺
,
摩擦
程松华
,
刘杰
,
吴韦建
,
张永栋
,
李曙新
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132805.0759
根据TFT-LCD的驱动原理,研究了一种基于客户定制化设计的非规则液晶显示屏,提出了此种液晶显示屏驱动芯片布局及其同液晶屏幕的连接方式.分析了此种非规则设计的液晶显示屏时序控制的独特之处,并利用FPGA设计了其时序控制器.根据乒乓操作的原理,利用FPGA进行了数据的缓存及分流等处理.为降低电磁干扰,提高产品性能,设计了基于FPGA的RSDS接口.文章还展示了此非规则设计液晶显示屏的静态及动态显示效果.
关键词:
TFT-LCD
,
驱动
,
FPGA
,
乒乓操作
,
RSDS
程星华
,
李强
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142905.0856
TFT-LCD工厂具有投资高、建筑体量大、能源消耗量大的特点.为了在工厂设计、建设、运营阶段有的放矢地做好节能降耗工作,针对重点耗能工序、耗能设备以及影响能耗的关键因素,采取科学、合理、可行的节能措施和节能工程,从而达到更好的节能效果.本文对TFT-LCD工厂能源消耗种类、能源消费结构及能源分布特点、主要能源加工转换过程中的能量平衡、能效指标等进行了研究分析.总结我院多年来完成的同类项目经验数据,通过层次分析法、能量平衡分析方法、标准对照方法等对主要用能体系及用能特点进行深入剖析.分析结果表明,电力是TFT-LCD项目消耗量最大的能源,约占全厂综合能耗的75％以上,其中工艺生产设备电力消耗约占全厂用电的45％～50％,阵列为最主要的工艺耗能工序,厂务系统中冷水机组等动力设备是主要耗能设备;氮气是消耗量最大的耗能工质,约占全厂综合能耗的20％.能源消费结构及用能特点基本符合此类工厂实际运行特点,对TFT-LCD面板项目节能具有较高的指导价值.
关键词:
TFT-LCD
,
节能
,
综合能耗
,
能源消费结构
,
能量平衡
,
能效指标
刘利萍
,
吴涛
,
刘俊豪
,
叶超前
,
陆相晚
,
崔完鎔
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142905.0697
通过对大量Zara样品进行分析,构建了不良现象——对应原因(Phenomenon Cause)的4种理论模式,并基于此理论设计了改善Zara的实验.通过分析发现:约5μm左右可移动的Zara主要为摩擦工艺过程产生的碎屑;10～25 μm按压不动的Zara主要为取向膜涂覆过程中的颗粒引起;轮廓清晰尺寸较大的Zara主要来自环境颗粒;无清晰轮廓且体积较大的Zara主要为摩擦取向失效形成的岛状漏光.为降低Zara不良进行实验,结果显示:增加取向膜在基板上的覆盖率以及变更彩膜涂层材料可有效降低Zara不良的发生率;此外,减小柱状隔垫物的坡度角度能够从源头上有效防止Zara的产生.Zara不良的研究与改善提升了小尺寸FFS产品的良率5％以上,为企业的稳定高效生产奠定了基础.
关键词:
TFT-LCD
,
小尺寸
,
Zara
,
分类
史高飞
,
沈奇雨
,
许徐飞
,
宋洁
,
赵娜
,
韩基挏
,
李乘揆
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153002.0257
在薄膜晶体管液晶显示器件(TFT-LCD)的制作过程中,Mura 是一种常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质.本文结合生产工艺的实际情况,采用宏观微观检查设备 Macro/Micro(M/M)、扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束测试仪(FIB)等设备进行检测分析,研究了产品开发过程中出现的 Sand Mura 问题.实验结果表明,Sand Mura发生的主要原因是像素电极 ITO 在刻蚀过程中由于过刻发生断裂,导致在通电时该处液晶分子偏转发生异常,进而阻挡了光的透过而形成暗点；通过变更 ITO 薄膜的厚度及刻蚀时间等一系列措施,防止了像素电极在 PVX 过孔处因过刻引起的断裂,不良发生率降至0．3％,产品质量得到了很大的提高.此外,过孔设计优化方案有助于新产品开发阶段避免该不良的发生,为以后相关问题的研究奠定了一些理论基础.
关键词:
TFT-LCD
,
Sand Mura
,
过刻
,
厚度
,
刻蚀时间
李锐
,
丰景义
,
温刚
,
乔云霞
,
徐凯
,
崔青
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153004.0581
线残像是液晶显示不良的一种表现,对在Cell中短时间内判断液晶线残像的强弱进行了研究.本文使用了4种介电各向异性相同的液晶,对这4款混晶所制成的TFT-LCD屏进行了线残像水平测定,系统分析了混晶的组分与线残像的关系,并使用了一种通过加直流电压测试V-T曲线的漂移来判断液晶残像强弱的方法,对4款混晶做了V-T曲线漂移实验.组分分析表明,介电各向异性相同的情况下,液晶中-CF2 O-类单体和-COO-类单体的使用会导致线残像的发生.V-T漂移实验结果表明,Vth变化率小于5％时,液晶显示线残像轻微,Vth变化率大于10％时,线残像严重.这种方法可以在Cell中进行,并且使测试时间明显缩短,这对提高液晶的研发效率具有指导意义.
关键词:
TFT-LCD
,
线残像
,
直流电压
,
V-T漂移
