刘佰清
,
洪根深
,
郑若成
,
刘国柱
,
敖一程
,
王印权
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.14.033
基于1.0 μm ONO(SiO2-Si3 N4-SiO2)反熔丝CMOS工艺下的反熔丝单元器件,研究了ONO反熔丝单元器件的TDDB寿命预测模型.研究发现ONO反熔丝单元器件的温度激活能Ea与电场强度Eeff存在线性关系,证明了ONO反熔丝器件的TDDB寿命预测模型满足“E Model”;并基于TDDB可靠性实验数据分析,拟合“E Model”模型中的各个参数,建立了寿命预测模型.同时,通过建立的寿命模型预测不同批次的ONO单元器件寿命,与实测值对比发现,寿命预测模型具有较高的准确性.
关键词:
ONO反熔丝
,
TDDB
,
E Model
,
激活能
,
寿命模型
