材料期刊网

1. 首页
2. 检索结果页

原词结果 | 译词结果

深亚微米栅HFET器件工艺研究

郑英奎 , 和致经 , 吴德馨

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.016

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法,并利用复合胶结构,一次电子束曝光制作出具有T型栅的HFET(HeterojunctionField-EffectTransistor)器件,并对0.1μm栅长HFET器件的整套工艺及器件性能进行了研究.形成了一整套具有新特点的HFET器件制作工艺,获得了良好的器件性能(ft=78GHz;gm=440ms/mm).

关键词: 混合曝光 , HFET , T型栅

0.1-0.3μmX射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用

叶甜春 , 谢常青 , 李兵 , 陈大鹏 , 陈朝晖 , 赵玲莉 , 胥兴才 , 刘训春 , 张绵 , 赵静

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.013

对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管.研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量,在混合光刻工艺中,抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键.

关键词: X射线光刻 , PHEMT , T型栅

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词