孟胜
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张从尧
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冯庆荣
低温物理学报
通过混合物理化学气相沉积法(Hybrid Physical-chemical Vapor Deposition,简称HPCVD),我们在SiC衬底上制备出了c取向8μm厚的MgB_2超导厚膜.电性质测量表明其起始超导转变温度是41.4K,转变宽度为0.5K,剩余电阻比率RRR～7.磁性质测量表明5K和零场下样品的临界电流密度达到了1.7×10~5A/cm~2.
关键词:
混合物理化学气相沉积法
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MgB_2超导厚膜
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R～T曲线
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M～T曲线
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M～H曲线
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SEM图
