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利用溶胶-凝胶法在Al2O3陶瓷片上制备掺Mg的SrTiO3薄膜.在SrTiO3中掺杂不同含量的Mg离子,Mg在钛酸锶中取代钛位,形成受主掺杂.研究了掺杂对薄膜电阻率的影响,实验表明,当掺杂浓度为4％时,电阻率最小.当掺杂浓度为4％时,薄膜电阻率会随着光功率变化而变化,当光功率＜100W时,电阻迅速减小,超过100W时,减小幅度变小.

关键词: 溶胶-凝胶 , SrTiO3薄膜 , Mg掺杂 , 电阻率

非晶SrTiO3纳米薄膜退火处理方法的研究

黄文 , 孙小峰 , 蒋书文 , 张鹰 , 李言荣

功能材料

用激光脉冲沉积技术(PLD),以N型(100)Si为基底在300℃下制备100nm非晶STO薄膜,分别用常规退火(CFA),快速退火(RTA)以及激光诱导晶化(LIC)处理将其转化多晶薄膜,用XRD测定薄膜相组分和结晶质量,用AFM观测薄膜表面微结构.比较不同工艺退火对薄膜结晶品质的影响并阐述了各自形核结晶的机理.

关键词: SrTiO3薄膜 , 退火处理 , 界面形态 , 晶化

非晶态SrTiO3薄膜的快速晶化处理

刘翠华 , 刘贤珍 , 付永

材料热处理学报 doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2007.02.006

在Si(111)基片上采用脉冲激光沉积(PLD)方法,烘烤温度300℃,制备得到非晶态SrTiO3薄膜.采用快速晶化处理,将非晶态SrTiO3薄膜在不同温度、不同晶化处理时间下进行了晶化处理,采用GIXRD和AFM分析检验晶化的效果和表面形貌.结果表明,SrTiO3晶化程度强烈依赖处理温度,处理温度越高,晶化程度越高;在同一温度下,增加处理时间有助于提高晶化效果,并获得致密、表面平整、均匀的SrTiO3晶态薄膜;晶粒大小不随晶化处理时间明显变化.在快速晶化处理过程中,非晶态SrTiO3薄膜在极短时间内达到晶化温度,并形成大量晶核,从而使晶粒生长受到限制,有利于获得更好的晶化效果.

关键词: 晶化 , 快速晶化处理 , 结构特征 , SrTiO3薄膜

生长温度对PLD原位生长SrTiO3薄膜结构与非线性介电性能的影响

何世明 , 李言荣 , 刘兴钊 , 陶伯万 , 段滨

功能材料

采用脉冲激光沉积法(PLD)制备的Y1B2Cu3O7-x薄膜作为叉指底电极,然后生长SrTiO3介质薄膜,形成叉指型压控电容结构.通过对SrTiO3薄膜的原位生长温度与薄膜微观结构及非线性介电性能之间的关系研究,发现随生长温度的升高薄膜晶粒逐步增大然后变小,薄膜的介电常数可调率和本征介电损耗随晶粒大小的增大而增加,而非本征损耗则随晶粒取向的增加而减小.

关键词: SrTiO3薄膜 , 介电性能 , 叉指电容 , 非线性

无机EL显示器件用高性能介电层的研究

肖田 , 林明通 , 徐毅 , 陈晨曦 , 陈国荣 , 杨云霞

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.02.005

用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530～730nm的SrTiO3/Ta2O5复合介电层,获得在500Hz下介电常数为48～73,反映介电损耗的参数ΔVy在0.06～0.15V之间,击穿场强为106～139MV/m,在0.05V/nm的电场下正、反向漏电流在10-9～10-7A/cm2之间,品质因子(εrεoEb)大于5μc/cm2.同时比较了SrTiO3/Ta2O5复合介电层和SrTiO3和Ta2O5单层薄膜的介电性能.把复合膜应用于以ZnS:Mn和Zn2Si0.5Ge0.5O4:Mn为发光材料的器件中,获得了适当的阈值电压和较高的亮度.

关键词: 无机EL , SrTiO3薄膜 , Ta2O5薄膜 , SrTiO3/Ta2O5复合膜

脉冲激光沉积法生长In掺杂SrTiO3薄膜及其微观结构研究

张亦文 , 李效民 , 赵俊亮 , 于伟东 , 高相东 , 吴峰

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.022

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在MgO/TiN/Si(100)衬底上,生长不同In掺杂量的SrInxTi1-xO3(x=0、0.1、0.2)薄膜,研究In掺杂及本征SrTiO3(STO)缓冲层对薄膜结晶性能,表面形貌、生长模式及紫外拉曼光谱特性的影响.结果表明,In掺杂导致薄膜结晶度降低,通过引入本征STO缓冲层可有效提高In掺杂STO薄膜的结晶度,增强薄膜的(200)择优取向性.然而随In掺杂量的增加,薄膜表面平均粗糙度增大;生长模式由层状生长转变为岛状-层状复合模式;拉曼一次声子振动模式峰强逐渐增强,说明薄膜的晶体对称性降低.

关键词: 脉冲激光沉积法 , SrTiO3薄膜 , 缓冲层 , 结晶度