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电化学法制备BaMoO4和SrMoO4薄膜的生长特性比较研究(Ⅰ):共性分析

杨祖念 , 肖定全 , 余萍 , 安红娜 , 金晓玲 , 陈连平 , 王辉

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2006.04.005

采用恒电流电化学技术直接在金属钼片上制备了具有白钨矿结构的钼酸盐(BaMoO4、SrMoO4)薄膜,对制备时间分别为10s直到50min的BaMoO4薄膜和制备时间分别为1min直到100min的SrMoO4薄膜的生长情况进行了SEM测试,并对相应结果进行了对比分析.研究表明:用电化学法制备BaMoO4和SrMoO4晶态薄膜,其生长特性既具有共性,也具有鲜明的个性.其共性特征是:1)成膜机制相同;2)薄膜生长初期就有比较完整的晶核生成;3)晶核和晶粒优先选择在金属基体缺陷(折叠、划痕、缺陷、凹凸不平等)处堆砌和生长;4)基体上晶粒的数量随着制备时间的增加而增加,晶粒的尺寸也随着时间的延长而长大,晶粒逐渐从稀疏分布到布满整个基体;5)在具有白钨矿结构的钼酸盐晶态薄膜的生长过程中,晶体的{111}面总是显露的.其鲜明的个性特征将在另文中讨论.该研究结果对功能晶态薄膜的生长(特别是利用电化学技术制备功能晶态薄膜的生长)和了解及预测白钨矿结构的晶态薄膜的生长习性,均具有重要意义.

关键词: 电化学技术 , 白钨矿结构 , BaMoO4 , SrMoO4 , 晶态薄膜

水热法制备SrM0O4：Eu^3＋红色发光材料及其发光性能

孟献丰 , 高俊 , 何禾 , 王云龙

功能材料

摘要：以Eu2O3、Sr（NO3）2和（NH4）6M07O24·4H2O为原料，采用水热法合成了Eu^3＋离子掺杂的Sr0.6MoO4：Eu0.4^3＋红色荧光粉。用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电镜（FE-SEM）和荧光光谱（PL）等分析手段研究了荧光粉的结构和光致发光性能。结果表明，制备的荧光粉颗粒分散均匀，形状呈类四方双锥状，粒径在0．5-2gm之间，荧光粉可以被近紫外光（396nm）和蓝光（466nm）有效激发，发射出峰值位于614nm的红光，激发波长与紫外和蓝光LED芯片相匹配。因此，这种荧光粉是一种可能应用在白光LED上的红色荧光粉材料。

关键词: SrMoO4 , Eu^3+ , 白光LED , 荧光粉 , 水热法 , 稀土

电化学法制备BaMoO4和SrMoO4薄膜的生长特性比较研究(Ⅱ):个性研究

杨祖念 , 肖定全 , 余萍 , 安红娜 , 金晓玲 , 陈连平 , 王辉

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2006.04.006

采用恒电流电化学技术直接在金属钼片上制备了具有白钨矿结构的钼酸盐(BaMoO4、SrMoO4)薄膜,对制备时间分别为10s直到50min的BaMoO4薄膜和制备时间分别为1min直到100min的SrMoO4薄膜的生长情况进行了SEM测试,并对相应结果进行了对比分析.研究表明:用电化学法制备BaMoO4和SrMoO4晶态薄膜,其生长特性既具有共性,也具有鲜明的个性.其共性特征已在另文中给出.其鲜明的个性特征是:1)BaMoO4和SrMoO4这两种薄膜在生长初期晶粒的成核速率不同;两种薄膜晶粒的生长速率不同;2)两种薄膜晶粒的形貌不同,晶粒的尺寸大小明显不同;3)两种薄膜晶粒的生长取向不同.该研究结果对功能薄膜的电化学制备和了解及预测白钨矿结构的晶态薄膜的生长习性,具有重要意义.

关键词: 电化学技术 , 白钨矿结构 , BaMoO4 , SrMoO4 , 晶态薄膜生长

钼酸锶微晶粉体的电化学合成与光致发光性能

孙勇 , 马峻峰 , 房晶瑞 , 高畅 , 刘振森

硅酸盐通报

采用电化学合成方法成功地制备出SrMoO4微晶粉体,并运用XRD、SEM、PL等对样品的矿相组成、结晶形貌和光致发光性能进行了表征.研究了在不同电流和电解液组成条件下产物的形成、结晶尺寸、形貌特征,以及同发光性能之间的关系.结果表明,当电解液中无乙二醇加入时,在2 A恒流条件下,产物的颗粒形貌为球形、粒径比较均匀,具有良好的PL性质.在电解液中加入乙二醇时,SrMoO4颗粒粒径变小,结晶形貌也由球形变成具有较大长径比的梭形.以330 nm的激发波长激发样品,所有样品的发射峰中心位于411 nm.PL发射峰强度取决于SrMoO4微晶的尺寸及长径比.在电解液中加入乙二醇,可有效地改善SrMoO4 微晶的PL性质.

关键词: SrMoO4 , 电化学 , 乙二醇 , 形貌 , 光致发光

采用电化学技术制备SrMoO4薄膜的生长特性实验研究

杨祖念 , 肖定全 , 余萍 , 安红娜 , 高道江 , 毕剑 , 金晓玲 , 陈连平 , 王辉

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.006

采用恒电流电化学技术直接在金属钼片上制备了具有白钨矿结构的钼酸锶(SrMoO4)多晶薄膜,着重在实验上研究了薄膜的晶体生长特性.研究表明,采用电化学技术制备SrMoO4晶态薄膜时,薄膜的生长具有如下特点:(1)晶核生成需要一定的时间,但晶核一旦生成,其形貌就比较完整;(2)晶核和晶粒优先选择在基体缺陷(折叠、划痕、缺陷、凹凸不平等)处生长和堆砌;(3)基体上晶粒的数量随着制备时间的增加而增加,晶粒的尺寸随着时间的增加而长大,晶粒逐渐从基体表面上的稀疏分布直到布满整个基体;(4)晶粒的{111}面总是显露的;(5)在薄膜生长的整个过程中,晶粒基本上以其c轴垂直于薄膜基体表面进行的.上述研究结果对进一步认识薄膜的晶体生长和利用电化学法制备晶态薄膜都具有重要意义.

关键词: 电化学技术 , SrMoO4 , 白钨矿结构 , 晶体生长 , 薄膜

材料科学技术（英文）

关键词:

铽-铕共掺杂的SrMoO4荧光体的制备与发光性质

宣亚文 , 武文 , 尹江龙 , 刘磊

人工晶体学报

本文以Na2MoO4、Eu2O3 、Tb4O7和SrCl2为主要原料,通过共沉淀法制备了Sro.95 MoO4∶xEu3+∶(0.05-x)Tb3+荧光粉.通过X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光光谱分析(PL)对样品进行了表征.XRD分析结果表明产物为纯白钨矿型纯四方相SrMoO4,5％的总掺杂量没有引起基质结构的变化.样品在800℃时,发光性能最好,在223 nm紫外光的激发下,Tb3+在486 nm、543 nm、583 nm、617 nm处有一组发射峰,分别对应于Tb3+的5 D4→+7F6、5D4→7F4、5D4→7F4、5D4→7F3的跃迁.Eu3+、Tb3+共掺杂时,发射光谱中Eu3+主发射峰位于611 nm附近,归属于5D0-7F2能级跃迁发射,而位于583 nm附近的弱发射峰归属于5D0-7 F1跃迁.

关键词: 钼酸锶 , 共沉淀 , 荧光光谱