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交流电沉积制备SnO2纳米线及其电沉积条件研究

陈艳辉 , 张兴堂 , 薛中会 , 杜祖亮 , 李铁津

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.01.009

采用阳极氧化的方法制备了孔径为30~50nm多孔阳极氧化铝(AAO)模板,用交流(AC)电沉积法在氧化铝模板孔洞内沉积金属锡,然后在空气中750℃加热含锡的模板10h,热氧化制备了直径在30~50nm SnO2纳米线.用扫描电子显微镜,透射电子显微镜,X射线衍射仪对所制备的SnO2纳米线进行了表征,表明所制备的纳米线为多晶结构.并通过改变交流电沉积过程中的电压,频率和热氧化时间来考察不同沉积条件对沉积结果的影响,发现采用交流沉积制备金属纳米线的过程中,频率和电压是影响沉积结果的关键因素.

关键词: SnO2纳米线 , 氧化铝模板 , 交流电沉积

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