谢军
,
田莳
,
徐永利
,
苏建华
,
杨岩
功能材料
制备了6种不同Sn含量的PMN-PZT压电陶瓷试样,深入研究了Sn添加剂对压电材料压电等性能的影响,用XPS分析了Sn在改性PZT压电陶瓷中的存在形式.研究表明,Sn添加剂不仅能提高压电性能而且改善了压电陶瓷低温性能的稳定性.
关键词:
改性PZT
,
Sn掺杂
,
压电陶瓷
,
低温稳定性
徐成
,
刘波
,
冯高明
,
吴良才
,
宋志棠
,
封松林
,
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.009
采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能.结果表明:Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变特性,其相变阚值电压和阈值电流分别为1.6V和25μA;实现了器件单元的非晶态(高阻)与晶态(低阻)之间的可逆相变过程;器件单元中相变材料结晶所需电流最低为1.78mA(电流宽度固定为100ns)、结晶时间大于80ns(电流高度固定为3mA);相变材料非晶化脉冲电流宽度为30ns时,所需电流大于3.3mA;与Ge2Sb2Te5相比,Sn的掺杂降低了SET操作的脉冲电流宽度,提高了结晶速度,有利于提高相变存储器的存储速度.
关键词:
Sn掺杂
,
Ge2Sb2Te5
,
相变存储器
,
器件单元
,
存储性能
石盼盼
,
孙爱民
,
马书懿
,
王丹
,
张明发
低温物理学报
采用固相反应法制作了在不同烧结温度对Sn掺杂下的YBCO一系列样品.本文采用了X-射线衍射仪,电阻测量和SEM对样品物相形成,微观结构,晶格常数以及超导转变温度进行表征,测量结果表明:不同的烧结温度会影响Sn离子的形式,随着温度的升高,Y-123峰明显减弱,杂峰相增多.本文分析了晶格常数与超导性存在必然联系,SEM结果表明第二相粒子的形成以及表面形貌都与温度有关.
关键词:
YBCO超导
,
Sn掺杂
,
微观结构
,
烧结温度(℃)
顾四朋
,
侯立松
,
赵启涛
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2004.02.013
用磁控溅射法制备了掺杂Sn的Ge2Sb2Te5相变材料薄膜,研究了Sn含量对结晶性能的影响.薄膜的X射线衍射(XRD)表明,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变,并出现Sn-Te相.通过示差扫描量热(DSC)实验测出在不同加热速率下非晶态薄膜粉末的结晶峰温度,计算了材料的结晶活化能.根据结晶动力学分析和结晶活化能数据,掺杂Sn后的Ge-Sb-Te具有更高的结晶速率,用于光存储时将具有更高的擦除速度.
关键词:
无机非金属材料
,
Ge2Sb2Te5
,
Sn掺杂
,
热致相变
,
结晶活化能
张正富
,
黄伯云
,
周科朝
,
左铁镛
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.02.018
研究了Nd-Dy-Fe-B和Nd-Dy-Fe-B-Sn合金在423 K的磁后效,发现两者的磁化强度都按时间对数衰减,Nd-Dy-Fe-B-Sn合金的磁后效起伏场Hf大于Nd-Dy-Fe-B合金.用Gaunt的畴壁钉扎理论分析该温度下两者的钉扎机制后发现,对于Nd-Dy-Fe-B-Sn合金,按畴壁强钉扎模型计算的钉扎密度与显微分析一致,因而,其反磁化过程在此温度下由畴壁强钉扎控制.而Nd-Dy-Fe-B合金的实验结果,与强钉扎模型计算结果不相符,进一步分析表明,Nd-Dy-Fe-B合金的磁化反转过程由局域化弱钉扎控制.
关键词:
Nd-Fe-B磁体
,
磁后效
,
Sn掺杂
,
畴壁钉扎
马颖
,
吕庆莉
,
张方辉
,
袁桃利
,
张麦丽
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.012
以铟、锡氯化物为前驱物,采用溶胶-凝胶法在玻璃基体上制备不同锡掺杂的ITO膜,在热处理温度为450 ℃条件下制备不同锡掺杂(质量分数11 %～33 %)的ITO膜,研究锡掺杂对ITO膜方阻和结构特性的影响.用四探针法测量ITO膜的方阻并对样品进行X射线衍射分析,结果表明:锡掺杂量在20 %时ITO膜的方阻最小,不同锡掺杂的ITO膜均为立方铁锰矿结构,锡掺杂会影响ITO膜晶粒尺寸、晶格常数和晶面取向等结构特性,ITO膜的晶粒较大、晶格畸变小、择优取向小时薄膜方阻较小.
关键词:
ITO膜
,
溶胶-凝胶法
,
Sn掺杂
,
X射线衍射分析
董厚欢
,
刘宝
,
田芳
,
崔永奎
材料导报
采用水热法合成了具有不同形貌的Sn掺杂ZnO微晶.采用XRD、SEM、UV等分析手段对试样进行了表征.实验结果表明,随着Sn掺杂比例的增加,ZnO微晶的粒度增大,大的微晶达到500 nm,小的仅为100 nmm.大的ZnO微晶为六棱锥体,显露锥面P{10 (1)1},负极面O(000 (1)),并对其生长机理进行了探讨.
关键词:
ZnO微晶
,
水热法
,
Sn掺杂
杨明珠
,
牟海维
,
吕树臣
硅酸盐通报
本文采用沉淀法以SnCl2·H2O代替SbCl3制备了ZnO压敏变阻器.分析了SnO2含量对变阻器电学性能的影响.随着SnO2含量的增加,漏电流和压敏电压明显增大；而非线性系数在SnO2掺杂量达到3.0 mol％时达到极大值.通过适当的掺杂,得到了漏电流为0.08 μA,非线性系数为80.3,压敏电压为1006.7 V1mA/mm性能良好的ZnO变阻器.
关键词:
ZnO变阻器
,
Sn掺杂
,
电性能
邓小玲
,
蔡苇
,
符春林
,
陈刚
,
郭冬娇
功能材料
采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Sn掺杂Ba(Zr0.2 Ti0.8)O3 (BZT)薄膜.结果表明,掺锡的BZT薄膜为钙钛矿结构,当Sn掺量超过4％时,出现了第二相BaO；SEM观察发现掺锡BZT薄膜表面光滑平整,孔洞和裂纹较少；当Sn掺量达到8％时,BZT薄膜的介电常数达到最大值,而介电损耗最小；BZT薄膜的剩余极化强度为2.29μC/cm2,矫顽场强为10.36kV/cm.
关键词:
BZT薄膜
,
Sn掺杂
,
性能
顾四朋
,
侯立松
,
赵启涛
材料研究学报
用磁控溅射法制备了掺杂Sn的Ge2Sb2Te5相变材料薄膜,研究了Sn含量对结晶性能的影响. 薄膜的X射线衍射(XRD)表明,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变, 并出现Sn-Te相.通过示差扫描量热(DSC)实验测出在不同加热速率下非晶态薄膜粉末的结晶峰温度,计算了材料的结晶活化能. 根据结晶动力学分析和结晶活化能数据,掺杂Sn后的Ge-Sb-Te具有更高的结晶速率,用于光存储时将具有更高的擦除速度.
关键词:
无机非金属材料
,
Ge2Sb2Te5
,
Sn-doping
,
thermal phase-change
