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650℃热基片上制备SmCo基永磁薄膜的内禀矫顽力研究

李元勋 , 彭龙

稀有金属

以A1、Cu、Ag、Mo、Cr为衬底层,在650℃热硅基片上制备了未经后退火工艺处理的SmCo基永磁薄膜,研究了薄膜内禀矫顽力的变化规律.结果表明,采用Mo和Cr作为衬底层可以提高薄膜的内禀矫顽力.SmCo基永磁薄膜的厚度对内禀矫顽力的影响复杂,当薄膜厚度为3.0 μm时,可以获得室温内禀矫顽力的最大值为281.6 kA·m-1.内禀矫顽力的温度依赖关系主要取决于薄膜的相关磁学参数,在25~300℃范围内,内禀矫顽力高于200 kA·m-1.

关键词: 稀土永磁 , SmCo薄膜 , 矫顽力 , 衬底层

退火温度对SmCo永磁薄膜微结构及磁性能的影响

功能材料

采用直流磁控溅射法制备SmCo薄膜,研究了退火温度对薄膜微结构及磁性能的影响.XRD分析结果表明,当退火温度为600℃时,SmCo5相析出,而Sm2Co17相在700℃析出.SEM照片可看出,退火温度高于900℃时,六方柱状的SmCo5相和菱方状的Sm2Co17相全部析出.随着退火温度的升高,晶粒尺寸增大,当温度达940℃时,晶粒尺寸减小,而在980℃时,晶粒尺寸又将增大.VSM测试表明,与制备态的薄膜相比,退火后的薄膜在垂直于膜面方向的矫顽力、剩余磁化强度及最大磁能积都增大.960℃时得到矫顽力和剩余磁化强度的最大值,800℃时得到最大磁能积的最大值.

关键词: SmCo薄膜 , 退火 , 微结构 , 磁性能

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