张际亮
,
孙学鹏
,
郦剑
,
沃银花
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2007.z1.067
采用常压化学气相沉积(APCVD)技术在铝基底上成功制备了改性SiOx陶瓷薄膜.通过显微硬度测试与涂层附着力自动划痕测试定量研究了薄膜显微硬度和膜基结合强度,利用光学显微镜(OM)和扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜的原始表面以及压痕、划痕形貌.结果表明,SiOx膜层由大小不均匀的等轴状颗粒团聚堆垛而成,退火处理时长大或融合成片状;SiOx薄膜有效提高纯铝表面的硬度,并能通过SiOx薄膜变形以松弛表层应力,抑制脆性裂纹产生;划痕测试证明基底和薄膜具有很高的结合强度,薄膜与基底发生塑性变形而不剥离.
关键词:
SiOx薄膜
,
Al合金
,
化学气相沉积
,
显微硬度
,
结合强度
,
表面形貌
张际亮
,
郦剑
,
沃银花
,
王幼文
,
甘正浩
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2006.01.017
应用化学气相沉积(CVD)方法在铝表面形成SiOx陶瓷涂层,通过弯曲实验研究了涂层与基体的结合性能.利用扫描电子显微镜(SEM)观察了弯曲部位的表面形貌,弯曲过程表述为表面凹坑与内部孔洞联合长大,形成长条裂纹状沟槽或突脊,最后裂纹长大直至断裂.研究表明,基底与膜层结合良好,形成高结合力的原因是铝基底与表面SiOx膜层间过渡层中的Al-O与Si-O键合能很高,键合稳定.
关键词:
铝基
,
SiOx薄膜
,
弯曲实验
,
结合力
,
机理
陈厦平
,
朱会丽
,
蔡加法
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.04.016
采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)测试方法对4H-SiC上热氧化生长的氧化硅(SiOx)薄膜表面形貌进行观测,并分析研究SiOx薄膜和SiOx/4H-SiC界面的相关性质,包括拟合Si2p、O1s和C1s的XPS谱线和分析其相应的结合能,以及分析SiOx层中各主要元素随不同深度的组分变化情况,从而获得该热氧化SiOx薄膜的化学组成和化学态结构,并更好地了解其构成情况以及SiOx/4H-SiC的界面性质.
关键词:
材料
,
SiOx薄膜
,
热氧化
,
X射线光电子能谱
,
4H-SiC
