董征
,
刘青
,
苏革
,
柳伟
,
曹立新
,
王景
,
贾波
,
赵莉丽
,
宋美芹
,
刘晓云
功能材料
采用恒电位诱导组装法,在40℃、2.5V恒电位条件下,在FTO导电玻璃上制备硅薄膜,并分别通过循环伏安曲线(CV)、红外光谱仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪对硅薄膜的生长条件、结构、形貌和光学性能进行了系统研究.结果表明,只有当溶液中用于模板剂的十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)的浓度高于其临界胶束浓度并且在一定的正硅酸四乙酯(TEOS)浓度时,才可以得到岛粒状的硅薄膜.由荧光光谱可知,组装成的硅薄膜经过焙烧,可生成氧缺位的SiO2薄膜,其中x≤2.由于氧缺位,在3.8eV光的激发下有2.5eV的光致发光.
关键词:
恒电位诱导组装法
,
硅薄膜
,
光学性能
,
SiOx
陈乐
,
谢敏
,
金璐
,
王锋
,
杨德仁
材料科学与工程学报
利用射频磁控溅射法通过调节硅(Si)靶的溅射功率制备了不同的富硅氧化硅(SiOx,1＜x＜2)薄膜.通过高温热处理,得到了镶嵌在SiOx薄膜中的硅纳米晶(Si-NCs).而SiOx薄膜热处理后的光致发光(PL)强度及其MOS器件的导电性都存在随其硅含量的增大而先增强后减弱的趋势,且光致发光有一定的红移现象.这是由于随着硅含量的增大,SiOx薄膜中Si-NCs的结构与分布发生改变,形成“接触”Si-NCs,从而使得光学和电学性能发生改变.
关键词:
射频磁控溅射
,
富硅氧化硅
,
硅纳米晶
,
光致发光
,
导电性
梅艳
,
贾曦
,
安彩虹
,
完继光
,
徐艳梅
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2016.05.019
采用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术在不同N2O流量条件下制备了镶嵌有纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜,利用透射电镜(TEM),X射线衍射分析(XRD),傅里叶变换红外(FTIR)和透射光谱技术研究了薄膜中的氢含量和氧含量变化及其对薄膜晶化度、薄膜键合结构和光吸收特性的影响.结果表明,薄膜由nc-Si粒子和非晶SiOx组成,为混合相结构.nc-Si的生长与氧化反应的竞争决定了薄膜微观结构、键合特性以及光吸收特性.随着N2O流量的增加,薄膜的晶粒尺寸逐渐减小.晶界区过渡晶硅的比例减少,晶粒界面随之消失,带隙呈持续增加趋势.该实验结果为nc-Si/SiOx薄膜在新型太阳电池中的应用提供了基础数据.
关键词:
红外光谱
,
纳米晶硅
,
氧化硅
,
键合结构
