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王占银 , 孔勇发 , 陈绍林 , 许京军
人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.022
本文采用化学机械抛光方法,以SiO2作为抛光液的研磨介质,对76mm Z切向的铌酸锂晶片的抛光进行了深入的研究.分析了影响铌酸锂晶片抛光效果的因素,通过优化工艺参数,使铌酸锂的表面粗糙度Ra达到0.387nm,平面面形误差小于4μm.
关键词: 大直径 , 铌酸锂晶片 , 化学机械抛光 , SiO2溶胶抛光液
