孙国胜
,
王雷
,
巩全成
,
高欣
,
刘兴昉
,
曾一平
,
李晋闽
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.005
本文报道用在Si台面及热氧化SiO2衬底上3C-SiC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为SiH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-SiC材料进行了测试与分析,结果表明在3C-SiC和SiO2之间没有明显的坑洞形成.
关键词:
3C-SiC
,
LPCVD生长
,
Si台面
,
SiO2/Si
陈彩云
,
于晓华
,
戴丹
,
江南
,
詹肇麟
,
刘忠
,
刘建雄
材料热处理学报
采用化学气相沉积法,以SiO2/Si为衬底、镍膜为催化层,研究不同催化层厚度对石墨烯生长的影响.选择拉曼光谱,透射电子显微镜等手段对石墨烯的层数和质量进行表征.结果表明,随着Ni膜厚度的增加,石墨烯的缺陷减小,而且层数也减少,当Ni膜厚度为300 nm时,可以在SiOJSi基板上获得高质量的单层石墨烯.
关键词:
石墨烯
,
SiO2/Si
,
镍膜
,
热化学气相沉积
